请教------蒙特卡罗分析与工艺Coner分析的关系？

noise7816

问题：1. 蒙特卡罗分析与工艺Corner分析(考虑由PVT引起的偏差)有何关系？
         2. 假设某个随工艺、电压及温度变化的器件参数为x，请问x在上述两种分析中的极限变化范围一样吗？
诚请各位指点、解惑，谢谢！

wangyanhustdk

回复 1# noise7816


   蒙特卡洛是在给定的器件容差范围内选取器件的参数，即用伪随机来模拟真实的情况。里面还可以选择 mismatch 和 process。

  工艺角仿真是特定的一个方向。没有mismatch。

noise7816

回复 2# wangyanhustdk

谢谢指点。
请问：你所指的“给定的器件容差范围”能超过worst case工艺角引起的偏差吗？

david_reg

对于某个参数，模型中工艺角的偏差好像通常就为MC的3-sigma值。

wkfr

我的理解是 corner仿真 比如用 fs 那就是所有的nmos都是fast 所有的pmos都是 slow
但是 Montecarlo的话 所有的器件的参数都是随机选择的 比如某个nmos可能比另一个nmos要快
抛砖引玉 如有不对请大神指正

wangyanhustdk

回复 3# noise7816


   当然不会了。只是随机抽取而已，不过结果在worst case 下可能不是最坏的。

noise7816

1. 真诚感谢上文诸位的解答；
2. david_reg提到“对于某个参数，模型中工艺角的偏差好像通常就为MC的3-sigma值”，还有wangyanhustdk的表述“当然不会了...”。这些观点的意思均倾向于：在进行MC分析时，器件的参数偏差(以一定方式分布(比如高斯分布)，随机抽取，以3-sigma值为界)不会超过worst corner的偏差。本人也比较支持这种观点。但是，不知道这种观点有没有比较正式的文件阐述？还是需要个人去比较器件的MC-model和worst corner model?

shauyay

矩形框四个角和中心表示5个不同工艺角的覆盖范围，而曲线表示用蒙特卡罗分析得到的实际电路工艺偏差（一般满足高斯分布）。从图中可以看出，满足Corner变化的范围不一定能完全满足覆盖实际工艺变化范围，因此要用蒙特卡罗分析得到Corner变化的概率，以得到电路的良率。

zzy2442

   

shauyay 发表于 2018-8-24 11:40
矩形框四个角和中心表示5个不同工艺角的覆盖范围，而曲线表示用蒙特卡罗分析得到的实际电路工艺偏差（一般 ...

讲得挺好，如果放上图片就更好了

i0977454522

thansk