cadence中mos管的m值如何理解

ARABFV · 发表于 2017-4-6 15:13:40

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如题，我一直搞不清楚cadence中mos管的m值如何理解，不能区分m和figure的区别，还请大神明示另外，mos管的ron和rds有什么区别，也请大神明示

Obliviate1223 · 发表于 2017-4-6 15:35:21

回复 1# ARABFV
谈一下我的看法～Ron是定义在MOS管的（深）三极管区（triode region）的，这时候VDS＜＜2(VGS-Vth)，所以近似有ID＝μnCox(W/L)(VGS-Vth)VDS，可以认为ID和VDS近似有线性关系，这种关系表示源漏之间可以看做一个线性电阻表示，即为Ron，记作导通电阻。
类似的，楼主可以去探究一下rds是在什么情况下定义出来的。
浅显的认识，欢迎指正。

lynker · 发表于 2017-4-6 18:19:04

本帖最后由 lynker 于 2017-4-6 18:23 编辑

finger指的是相邻管子共享有源区，SD公用的一组晶体管。M指相邻管子不共享有源区，SD不公用的一组晶体管。在180nm以下涉及WPE和LOD效应时，f与M是有区别的。180nm以上没有WPE和LOD效应时可以认为它们是没有区别的。

5k宇智波 · 发表于 2017-4-6 20:02:12

大概的理解时这样的，finger是fabricate在同一个有源区域的，比如f=3，那么你在调管子时，很容易发现它们是坐在一起的就是，共享源漏的概念，一般奇数的话，两边上为s，其余为d。
而M 就相当于你调用了三个管子每个管子f=1.

至于为什么要区别 M 和 f 因为它们本质上等效的zong W 数是一样的。
就是楼上说的wpe sti效应把。就是左右距离的问题。

我觉得可以研究下什么时候要用M 什么时候可以简单用nf 就行。

ARABFV · 发表于 2017-4-6 20:04:07

回复 3# lynker

谢谢你的回答，那请问m和figure都是指的管子数目对吧？比如一个管子参数给的是W:120u;L:1u;m:10的话，那是表示这个管子的总宽度为120u，由10个管子组成是吧？是10个管子串联？或者说m和figure的意义是什么？

ARABFV · 发表于 2017-4-6 20:59:19

回复 4# 5k宇智波

谢谢你的耐心回答，那请问m和f都是管子并联是吧？如果是这样的话，figure和m等于2的时候，是不是都要把管子的G、D、S端口连起来？

lynker · 发表于 2017-4-6 21:59:31

回复 5# ARABFV

m,f对于管子都是并联关系。

lynker · 发表于 2017-4-6 22:01:09

回复 4# 5k宇智波

所言极是，在m，f的layout上电路工程师应该告知版图工程师

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