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查看: 2644|回复: 8

[求助] 请教静电枪的ESD保护?

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发表于 2017-3-21 20:42:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教各位牛大大,静电枪的放电模型大概是怎么样的?为什么芯片裸片打HBM ESD能过4kV,而带电打静电枪就1kV触发大电流烧坏了?请问ESD电路设计要注意些什么方面才能抵抗静电枪啊?
发表于 2017-3-21 23:46:43 | 显示全部楼层
静电枪打是指芯片上电时候打ESD?
看你描述可能ESD触发latchup了?
发表于 2017-3-22 00:26:59 | 显示全部楼层
静电抢应该只是个静电释放端点,静电模型是通过高压放电设备设定的,一般的静电枪控制设备都会有MM和HBM两种模型。如果选择MM模型的话,会比HBM模型苛刻的多。
 楼主| 发表于 2017-3-22 08:53:08 | 显示全部楼层
回复 3# hszgl
默认是HBM模型还是MM模型?
 楼主| 发表于 2017-3-22 08:57:40 | 显示全部楼层
回复 2# lihaiqi208
整机带电打静电枪很容易触发latch up啊。ESD泄放通路有什么办法改进这个问题?
发表于 2017-3-22 16:19:10 | 显示全部楼层
系统级ESD和芯片级 HBM/CDM/MM 不一样的。
系统级ESD 分直接接触放电和空气放电。要提高耐受能力,需从系统的电流路径分析,感觉不 芯片级 更加 black magic
发表于 2017-3-22 16:39:36 | 显示全部楼层
你这失效现象描述太模糊,系统级ESD不想器件级那么容易分析ESD路径,更加black megic,建议先找到失效的地方,再去分析原因
发表于 2017-3-22 19:03:55 | 显示全部楼层
回复 4# mekenny


   这个我不知道了。你看下操作界面啊。
 楼主| 发表于 2017-3-25 20:53:03 | 显示全部楼层
双边ESD保护,也就是对地和对电源各做一套ESD泄放电路,是否会对系统级ESD有较大的改善?
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