Cadence的MOS管工艺库参数

QizhenLaker

大家好，我是一名本科生，目前正在学习Cadence的使用。我使用的工艺库是smic18mmrf。我根据参考资料进行仿真，发现，MOS管仿真的I-V特性和根据工艺库参数计算的I-V特性并不相同。
我使用的是NMOS4，'n18',Vth=0.6679V, W=L=1.4um ,tox=6.65nm , un=0.350 ,介电常数8.85e-12*3.9。
根据这个参数得到的计算饱和电流如下图所示：


我就感到很困惑，使用的library是ms018_v1p9_spe.lib tt，但是仿真结果如下所示：

Simulated I-V Character of NMOS4

是我搞错了参数，还是仿真设置有问题？
希望前辈们能够不吝赐教，谢谢！