在chip上不同的”vss“是如何不被P-sub短路的

猫中之王

在chip level上不同的模块之间难免会出现不同的“地”，有时为了隔离不同core之间的噪声，会在“vss”之间加上“双向”的diode，利用diode的势垒电压起到隔离噪声的作用，同时又因为两个方向上都有正偏的diode，所以在出现ESD的时候所有的“地”又能连接在一起，起到增加ESD释放路径的效果，但所有的core都在P-sub上，本来就是连接在一起的，那隔离噪声又有什么意义呢？这些“vss”又是如何不被短路的呢？跪求大神们前来解答，感激不尽~

猫中之王

Hi，抱歉9年之后再来回答这个问题，首先所谓的“噪声隔离”我们需要明白噪声耦合的路径可能哟哪些？
1.通过P-sub传播。
2.通过金属线传播。
那么B2B diode的导通电压（硅材料，我们此处认为是0.7v），这个电压就能起到隔离噪声的作用，如果噪声超过0.7v，那么就不是噪声的范畴了。
其次，P-sub的电阻很大，通过P-sub传播的距离有限，所以布局时拉开距离就能避免噪声的干扰，例如电感附近周围不要放置器件也是这个道理，其次对于比较“吵”的模块鼓励围一个完整的Double guard ring让噪声传输优先传输到电源沉底接触上，也是在减弱噪声在P-sub上的传输。

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楼主真是有心了