关于MOS管的ro的问题

hfwangxf · 发表于 2016-7-9 10:35:24

回复 7# s.zhang

100k级别也太笼统了吧，现在65nm工艺的能上10k就很大了

joker_pyy · 发表于 2021-4-28 16:57:05

s.zhang 发表于 2016-7-7 17:57
1. 直流电的时候，如果ＶＤＳ　是一定的时候，　又哪来的求导呢？　这种情况该不要考虑。
２.　应该只是小 ...

问在反相器中 nmos与pmos只能看到一个阻值怎么将两个管子阻值调到一样大小

AstonMartin · 发表于 2021-8-11 11:15:23

应该是等效阻抗，在高频时会变化的

lkj950726 · 发表于 2021-8-12 14:21:03

你可以画一个mos管vds对于对应id的曲线，mos管的直流阻抗是原点和工作点连接的直线，是一个很有限的值；但是交流阻抗就是这个点的切线，如果没有沟道调制效应，这个切线的值应该是无穷大。

陈曦瑜 · 发表于 2024-7-14 10:00:38

lkj950726 发表于 2021-8-12 14:21
你可以画一个mos管vds对于对应id的曲线，mos管的直流阻抗是原点和工作点连接的直线，是一个很有限的值；但 ...

工艺越先进，沟长越短，所以沟道电阻就越低，沟长调制效应越明显id vs VDS曲线饱和区斜率越大。沟道电阻跟沟长成正比。

imefox · 发表于 2024-8-7 14:38:31

这个阻抗就是小信号输出阻抗，如果忽略沟长调制，那么此时只剩一个gmV1电流源，输出阻抗近似无穷了。高频下的阻抗就是把寄生电容带进来的阻抗，为ro和1/sC的并联。

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