求教倒比管有哪些考究？！

seekcoring · 发表于 2016-4-27 10:09:34

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各位大神，小弟初识模拟电路不久，想了解下，使用倒比管，比如1/10，甚至1/50，这类管子有什么不足的地方（因为只听说，尽量不使用倒比管）？！主要是我最近研究一种低的基准电流产生电路，不仅使用到部分亚阈值管子，计算发现还需要很多倒比管，求大神解惑！谢谢！

billlin · 发表于 2016-4-27 12:33:47

一般會使用倒比管,
通常是把MOS當resistor使用的,
把MOS 偏置在三級管區 (triode region).

MOS 偏置在飽和區(saturation region),
通常不會用倒比管

seekcoring · 发表于 2016-4-27 14:26:09

回复 2# billlin Many Thanks！嗯，您说的，我大概知道。但具体原因不知道有木有大神可以讲明白的。

seekcoring · 发表于 2016-4-27 14:30:27

回复 1# seekcoring 或者这样说，如果在保证MOS管工作在饱和区，仍然是较大的倒比,比如达到1/50，会有怎样的后果，或者说对电路有什么影响？

ouyang00032 · 发表于 2016-4-27 15:22:21

回复 1# seekcoring

以下为个人理解：
MOS管的W和L分别有一个范围，以L为横坐标，W为纵坐标绘图，靠近图像的中间区域的模型准确度要高于边缘的准确度；在饱和区使用时，对模型准确度要求较高，因此尽量选用靠近中间区域的W和L；
另外，工艺厂对Ron的模型准确度也比较重视，因此W大，L小的情况模型准确度也较高；
曾经做过较低功耗的产品，带隙基准单路电流为100nA，电流镜尺寸设置为2u/30u finger=2，流片回来性能还不错；仅供参考。

seekcoring · 发表于 2016-4-28 10:08:29

回复 5# ouyang00032
Many Thanks；So 对于几百甚至几十nA的电流，倒比的使用，某种意义上还是可行的，只是模型准确度会降低很多，或者说流片实现后与仿真偏差可能会很大。

kaikanertan · 发表于 2016-4-29 11:32:05

低功耗设计大量用倒比管。

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