Sentaurus GaN器件仿真求教

qhesen

在Sentaurus仿真中，我用sde将GaN器件模型画出来后，定义了Contacts，掺杂并且网格化后，再运行cmd文件进行仿真，可是每次仿真的速度都挺慢的，仿真出来的结果也会发散。想要请教一下，GaN的cmd文件应该如何写。这里仿真的GaN器件很普通，是个FinFET，其它就和常规的MOS器件没什么区别。以下是我现在的cmd文件

File {
  Grid      = "GaN_20nm_doublegate_msh.tdr"
  Parameter = "GaN.par"
  Plot      = "20nm"
  Current   = "20nm"
  Output    = "20nm"
}

Electrode {
  { Name= "source"    Voltage= 0.0 }
  { Name= "drain"     Voltage= 2 }
  { Name= "substrate" Voltage= 0.0 }
  { Name= "gate"   Voltage= 0.0 Material="Gold"}
}

Physics{
  Mobility(DopingDep HighFieldsat Enormal)
  EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom))
  Recombination(SRH(DopingDependence ExptempDependence))
}

Plot{
  eDensity hDensity eCurrent hCurrent
  Potential SpaceCharge ElectricField eQuantumPotential
  eMobility hMobility eVelocity hVelocity
  Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
}

Math {
  Extrapolate Derivatives RelErrControl Digits=6 Iterations=20
  NotDamped=100 Method=ILS Transient=BE
}

Solve {
   Coupled(Iterations= 100 ){ Poisson  }
   Coupled { Poisson  Electron Hole}
   Quasistationary(
      InitialStep=0.001 Increment=1.35
      MinStep=1e-4 MaxStep= 0.05
      Goal { Name="gate" Voltage=1.5}
   ){ Coupled { Poisson  Electron Hole}
      CurrentPlot( Time=(Range=(0 1) Intervals=20)  )
   }
}

亘古的山

看看。。。。。。。

liujian_199006

仿真慢的话要看你的网格划分吧