charge pump design 討論

peterlin2010 · 发表于 2017-1-14 08:40:46

回复 10# 安东特

片内都小mos switch ,
真的当外部 switch cap 很多挂 > 1000p .

还有看过一种 paper 是使用类似 digital isolator 耐 800v cap ..

Isolation charge pump fabricated in silicon on sapphire CMOS technology

ljl86400 · 发表于 2017-1-15 09:52:24

下载文献

yuyu123 · 发表于 2017-2-13 11:45:55

Good.

hector · 发表于 2017-7-11 16:41:13

thanks for sharing.

destinychuld · 发表于 2017-7-11 18:26:43

回复 1# bigbigbird

fying cap太大了，芯片面积大，太小了驱动能力受影响

destinychuld · 发表于 2017-7-18 11:06:13

回复 8# peterlin2010 [/b
谢谢分享

模拟8生活吧 · 发表于 2017-8-29 10:17:19

谢谢分享

yangnanfrank · 发表于 2017-12-5 15:49:28

对于H-bridge结构，输出电压大致为：
vpp=2*vdd-i*T/(2*cf)

peterlin2010 · 发表于 2018-2-2 08:01:40

对于H-bridge结构，输出电压大致为：
vpp=2*vdd-i*T/(2*cf)
yangnanfrank 发表于 2017-12-5 15:49

登录/注册后可看大图

负电 charge pump 有那些须要考虑?

yangnanfrank · 发表于 2018-2-2 15:33:29

回复 19# peterlin2010

注意latch up问题，保证衬底的电压最负，（在上电，下电时会有暂时的衬底电压不是最负），小心处理

[求助] charge pump design 討論

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