IC库命名规则和选库方案scc55nll_hd_pmk_hvt_ss_v1p08_125c_basic

doubley97

楼主 问一下  你知道 V1P1C V1P2 V1P2A 分别是什么意思吗

zyinghn

楼主大佬你好，小弟最近使用scc55nll的库，进行到pex走不下去了，提取不出后仿真用的calibreview，看到楼主也用过这个库，所以来请教有没有pex用的文件或者方法什么的

kjhe

pmk 怀疑是 power management kit

xiaohaolaoda

   

doubley97 发表于 2021-9-2 15:08
楼主 问一下  你知道 V1P1C V1P2 V1P2A 分别是什么意思吗

同问

liuzhuozhuo

请问大神有完整的smic55nm库吗？打扰您

LDYder

   

zyinghn 发表于 2022-3-4 10:23
楼主大佬你好，小弟最近使用scc55nll的库，进行到pex走不下去了，提取不出后仿真用的calibreview，看到 ...

兄弟，你好，最近我做的电路写毕业设计需要这个库，但是全网找遍了，也没有看到卖这个的，请问，你这边方便有偿分享一下吗？qq:876560233

四十五度向下

CCS(composite current source，复合电源模型）、ECSM(Effective current source Model，有效电流源模型），这些都是先进时序模型，为了更好的评估器件的延迟而选择的模型，现在常用的时序模型有NLDM，都是差不多的目的。

lzj126

在中芯国际（SMIC）的工艺文件中，PMK、PEK、LPK 是三种常见的工艺角（Process Corner）的缩写，它们用于描述芯片制造过程中工艺参数（如晶体管速度、阈值电压等）的波动范围，是芯片设计、仿真和验证中确保电路在各种制造偏差下仍能正常工作的关键概念。

这三种工艺角分别对应不同的应用场景和性能要求，以下是具体解释：

1. PMK - 高性能主流工艺角
含义：Performance Mainstream 或 Performance Main

特点：代表芯片制造中晶体管速度较快、性能较高的工艺偏差条件。

用途：

用于验证电路在高性能要求下的表现（如CPU、高速接口电路）。

通常与较高电源电压、较高温度等条件结合，模拟芯片在追求峰值性能时的极端情况。

关注时序性能（如最大工作频率）。

2. PEK - 低功耗工艺角
含义：Power Efficiency 或 Power Efficient

特点：代表芯片制造中晶体管速度较慢、但功耗较低的工艺偏差条件。晶体管的阈值电压可能较高，导致开关速度变慢，但静态漏电电流更低。

用途：

用于验证低功耗电路（如电池供电设备、物联网芯片）的可靠性和功耗表现。

常与较低电源电压、典型或低温条件结合，模拟芯片在节能模式下的行为。

关注功耗（特别是静态功耗）和电路的可靠性（如亚稳态问题）。

3. LPK - 低漏电工艺角
含义：Low Power Kit 或 Leakage Power

特点：专门针对极致低漏电（Low Leakage） 优化的工艺角。晶体管的阈值电压通常设计得更高，以最小化待机或关闭状态下的漏电电流。

用途：

适用于对漏电极其敏感的应用，如长期待机的可穿戴设备、备用电源电路等。

通常与最低电压、低温条件搭配，模拟芯片在深度省电模式下的极端情况。

更侧重于漏电电流的精确控制和验证，而非速度。

lzj126

自从有了deepseek，答案都有了