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[资料] 晶丰设计BP3319MB 隔离低成本

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发表于 2015-12-17 10:51:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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晶丰明源:BP3133A  BP3125   BP3126   BP3135D  BP3136D  BP2831A   BP2832A  BP2833A/D   BP9833A  BP2325A     BP2326A  BP2327A  BP2338   BP2329A   BP3309   BP3319MB  BP5609  BP3122B  B3122  BP2818  BP3516 QQ  2892715427


BP3319M  ---  隔离/原边反馈APFC;

        1.温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证                                

        2.外置MOS /驱动功率范围大,从 8W--60W。                             

        3.内置了动态温度控制技术。能在全面保证产品可靠性的前提下,保证产品输出最大功率。                             

        4.短路保护功率极小。                     

        5.全范围内准谐振工作,有更高的效率,更好的 EMI 特性。

        6.相比 BP3309 而言,外围元件少,成本低。


12-40瓦隔离BP330990~264VAC 0.915-30*1W 88%原边反馈APFC;启动时间小于200mS;过认证
> 12瓦隔离BP3319M90~264VAC 0.910-18*1W 89%原边反馈APFC;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证
隔离BP3319M90~264VAC 0.919-36*1W 90%原边反馈APFC;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证
隔离BP3319M90~264VAC 0.938-60*1W 91%原边反馈APFC;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证
<  100mA非隔离BP5129200~240VAC 0.4250V/65mA90%无需EMI器件;光电一体引擎方便生产;
    相比CRD而言,有更好的效率和更小的输入功率波动
<  220mA非隔离BP2832A176~264VAC0.5130V/120mA 92%内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;单绕组电感;
    自带OVP保护;仅10个外围元件
< 350mA非隔离BP2833A/BP2833D176~264VAC0.980V/240mA92%内置高压功率MOSFET;单绕组电感;内置OVP保护。
< 500mA非隔离BP2836D176~264VAC0.9130V/300mA92%内置高压功率MOSFET;单绕组电感;内置OVP保护。
<  350mA非隔离BP2327A176~264VAC0.980V/240mA93%APFC技术;内置高压功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;
    超小体积(日光灯单堵头);单绕组电感;自带OVP保护;恒流精度极高;
<  350mA非隔离BP2328A/BP2328D90~264VAC0.980V/240mA93%APFC技术;内置高压功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;
    超小体积(日光灯单堵头);单绕组电感;自带OVP保护;恒流精度极高;
< 2A非隔离 BP2329A90~264VAC 0.980V/240mA93%APFC技术;温度控制技术确保高温工作不闪烁;
    单绕组电感;自带OVP保护;恒流精度极高;
 隔离BP3108 176~264VAC 0.57*1W 80%PWM、Analog、可控硅调光;原边反馈;过认证
隔离BP331890~264VAC 0.910-18*1W 89%原边反馈APFC;PWM、Analog  调光;
    温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证;
非隔离BP321190~132VAC 0.940V/150mA83%内置功率MOSFET;自带OVP保护;外围元器件少;单绕组电感;BOM成本低;
    兼容绝大部分低压调光器;PWM、Analog、可控硅调光;过认证
非隔离BP321290~132VAC 0.942V/240mA88%内置功率MOSFET;自带OVP保护;外围元器件少;单绕组电感;BOM成本低;
    兼容绝大部分低压调光器;PWM、Analog、可控硅调光;过认证
非隔离BP321890~132VAC 0.937V/400mA88%自带OVP保护;外围元器件少;单绕组电感;BOM成本低;
    兼容绝大部分低压调光器;PWM、Analog、可控硅调光;过认证
非隔离BP231890~264VAC 0.980V/240mA93%APFC技术;PWM、Analog  调光;温度控制技术确保电源寿命;
非隔离 BP2818 90~264VAC 0.540V/120mA 88%PWM、Analog、可控硅调光;通过EMI测试
 楼主| 发表于 2016-1-28 14:00:47 | 显示全部楼层
回复 1# aaalelele


   
 楼主| 发表于 2016-1-29 14:06:58 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2016-2-17 09:36:34 | 显示全部楼层
好帖子
 楼主| 发表于 2016-2-20 14:02:59 | 显示全部楼层
需要资料方案 可以分享
 楼主| 发表于 2016-2-25 17:00:59 | 显示全部楼层
BP3319M_vs _SY5800.xlsx (511.54 KB, 下载次数: 11 )    BP3319MB  资料参考
 楼主| 发表于 2016-3-11 17:52:19 | 显示全部楼层
5-7瓦隔离BP3133A/BP313590~264VAC 0.55-7*1W 85%内置功率MOSFET;原边反馈;低成本
隔离BP331590~264VAC 0.95-7*1W85%原边反馈APFC;内置高压功率MOSFET;
    温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证
8-12瓦隔离BP312590~264VAC 0.58-12*1W 87%内置功率MOSFET;原边反馈;低成本
隔离BP3135D90~264VAC 0.58-12*1W 87%内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本
隔离BP3316D90~264VAC 0.98-12*1W 87%原边反馈APFC;内置高压功率MOSFET;
    温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证
12-15瓦隔离BP3136D90~264VAC 0.512-15*1W 87%内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本
12-18瓦隔离BP311690~264VAC 0.512-18*1W 87%内置功率MOSFET;原边反馈;低成本
隔离BP3137D90~264VAC 0.512-18*1W 87%内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本
18-24瓦隔离BP312690~264VAC 0.518-24*1W 88%内置功率MOSFET;原边反馈;低成本
发表于 2016-3-18 00:35:53 | 显示全部楼层
LED驱动
 楼主| 发表于 2016-3-29 14:01:11 | 显示全部楼层
是啊  LED驱动的
发表于 2016-3-30 06:53:45 | 显示全部楼层
1000 thanks a lot
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