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在65nm工艺以下,高速数字电路中(如1GHz),使用数字流程进行综合,transition time的影响显得尤为重要。以往的帖子中也讨论过这个问题,大概包括以下内容:
1. transition time如何设置;
set_max_transition current_design ;#针对整个设计
set_max_transition -data_path clk ;#针对clk的lanch path
set_max_transition -clock_path clk ;#针对clk,或者说时钟树
set_clock_transition clk ;#针对clk,或者说时钟树
set_clock_tree_options -max_transition ;#针对时钟树
2. transition time应该设多大;
终极目的是维护时钟和数据的完整性;
在低频时,满足库中的设置即可;在高频时,需要更严格的约束。
陈涛版主曾经回答过:
- 90nm时: min{0.1*时钟周期,200ps}
- 65nm时: min{0.1*时钟周期,150ps}
- 130nm时可以进一步放松。
3. 我的另外一个问题:有人说时钟树的transition time的约束要比data更为严格,但是在不同的工艺下具体经验值值如何呢?
现在我 |
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