『击穿电压』求问mos管的击穿电压一般是多少？或者如何计算或者在哪看

understar · 发表于 2015-12-6 20:34:32

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小弟在做CLASS—E的功放，输出电压一般来说是电源电压的3.6倍，想问下，输出级的管子用3.3V的管子击穿电压（VDS击穿和VGS击穿）是多少，还有3.3V的管子用2.5V电源电压供电会不会有问题？因为这样可以减小VDS的压力，多谢诸位了

semico_ljj · 发表于 2015-12-6 21:07:39

还有3.3V的管子用2.5V电源电压供电会不会有问题？

肯定有

alienwarexie · 发表于 2015-12-7 08:36:22

有可能没进入饱和状态

totowo · 发表于 2015-12-7 09:15:57

model里基本都会有的，或者你可以查一下栅氧层厚度tox的值
一般tox有几nm，击穿电压就有几V（也就是说击穿的场强基本上就是1G V/m)

如果你是在学校里做，用击穿电压来做参考问题不大；如果你是在公司里，考虑的就不仅仅是击穿，更要考虑其可靠性，比如10年寿命对stress电压要求比击穿电压要低的。

小弟在做CLASS—E的功放，输出电压一般来说是电源电压的3.6倍，想问下，输出级的管子用3.3V的管子击穿电压（ ...
understar 发表于 2015-12-6 20:34

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lovekeduo · 发表于 2015-12-7 13:06:31

回复 2# semico_ljj
请问2.5V电源3.3V器件有什么问题呢

understar · 发表于 2015-12-7 14:58:28

回复 2# semico_ljj

看文章说，“功放的晶体管漏极最大电压一般能达到两倍
的电源电压，故在满足设计要求时，一般要让晶体管工作在低的电源电压下

”这里如果电源电压低会有什么问题呢？

understar · 发表于 2015-12-7 14:59:44

回复 4# totowo

谢谢，tox是不是只能说明栅极击穿，对于源漏耐压在哪看呢？

understar · 发表于 2015-12-7 15:43:33

回复 4# totowo
还有就是击穿电压是看有效值还是峰值呢？

totowo · 发表于 2015-12-8 10:51:41

1. 击穿当然是栅氧层更容易击穿，VDS主要是考虑stress（HCI效应啥的）
2. peak value

回复 totowo
还有就是击穿电压是看有效值还是峰值呢？
understar 发表于 2015-12-7 15:43

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understar · 发表于 2015-12-8 21:42:58

回复 9# totowo
多谢！

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