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[求助] 55nm moscap ESD 问题求助

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发表于 2015-10-13 11:56:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 rficcn 于 2015-10-13 12:11 编辑

1.2V 55nm nmos 做VDD/GND之间的decouple cap会有ESD的问题吗?尤其是CDM?VDD/GND pad已做常规ESD保护。
发表于 2015-10-13 22:09:50 | 显示全部楼层
不会有问题,只要ESD通路不导向内部电路就没问题。
通常ESD通路是从VDD引向GND的(通过power clamp),如果耦合电容对ESD的响应时间比VDD/GND clamp慢,ESD会通过clamp引向ESD,反之ESD会通过耦合电容引向GND。
发表于 2015-10-13 23:26:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 fuyibin 于 2015-10-13 23:29 编辑

按照rule是不允许gate直接接在电源/地之间的,但实际问题不大,用pmos做decap更safe些。此外gate leakage会比较明显。
 楼主| 发表于 2015-10-14 09:11:04 | 显示全部楼层




   一般地,内部Gate接到pad需要二级ESD保护,尤其是在考虑CDM时。 内部mos的gate和接在VDD/GND之间的decouple电容的Gate在CDM测试时所经受的CDM打击有什么不一样吗?
发表于 2021-4-21 13:01:36 | 显示全部楼层


rficcn 发表于 2015-10-14 09:11
一般地,内部Gate接到pad需要二级ESD保护,尤其是在考虑CDM时。 内部mos的gate和接在VDD/GND之间的de ...


同问

发表于 2021-4-21 13:19:03 | 显示全部楼层
同问
发表于 2022-2-8 15:22:46 | 显示全部楼层
电源认为较稳定,且连大量分布式有源区
发表于 2022-8-9 21:35:23 | 显示全部楼层
Good Luck
发表于 2022-8-10 14:13:47 | 显示全部楼层
一般都没问题啊
发表于 2022-8-22 10:43:36 | 显示全部楼层
How about MOS CAP leakage?
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