SiGe，GeAs三极管为何基区可以高掺杂？

Seawindzjr · 发表于 2015-9-22 18:06:33

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查了很多资料，包括学校给的教科书，都是一直强调异质结三极管基区可以高掺杂所以可以做的很薄因此速度变快，问题根本找不到为什么基区就可以高掺杂？有大神可以解释下吗？我知道是因为能带结构，但是因为什么能带结构因此基区可以高掺杂？

冬天的叶子 · 发表于 2019-9-16 16:22:15

我也想知道为什么

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