下变频的设计问题

reply2010

要做一个下变频器,输入L波段的信号,950M-1750M,我看到一个设计是:先用adf4113变频到850M,然后用adf4153二次变频到70M,然后三次变频到21.4M进行处理.我有个问题,为什么不一次变频到70M呢.我想用adf4153可以一次就产生1020-1820的混频信号,为什么不这么做呢?问题二,是不是下变频的主电路都必须做50欧的阻抗控制(非数字部分).第三,有没有软件可以对整个电路,包括adf4113,adf4153在内的下变频,混频,滤波,电阻桥负载均衡等进行整体仿真

lyqnuaa

回答你第一个问题：假设用1020和950混频产生70，那么镜像频率1090也会和1020产出70，而1090是在950~1750带内的，射频预选滤波器无法滤除，即接收机的镜像抑制会很差；
其次，1020也在射频带内，导致本振反向辐射电平会很高，也不合理，所以才会选择850的中频

reply2010

lyqnuaa,高手就是高手,真是厉害,谢谢啦.不过问题还有点:那为什么不第一次变频到850,然后直接到20M,而是中间还要先变频到70M,然后再用50M和70M混频得到20M才处理呢.第二个问题是
然后刚才又看了另外一家的设计(不是论文文章,1楼和本贴的两个设计都是实物):他的指标是

输入频率：950MHz～1600MHz[size=10.5000pt] 本振频率： 880MHz～1530MHz

但这个的做法就是输入后和adf4350宽带频率合成器产生的频率混频,直接得到70M中频,然后70M直接送fpga处理.在这个方案中为什么不担心您说的镜像干扰问题和反射问题?

lyqnuaa

交流想法，不是高手了，也不一定对
一般从850直接变到20不是很好，因为会对你850上的滤波器要求很高，你想，假设二本振选取830，那么二混上的镜像频率为810，850要对810的抑制很高，再加上一定的带宽，增大了该滤波器的难度，这就是常说的二镜抗，相比，70的中频就会减少850滤波器的压力，而且70也是常用中频，很多公司会预留70的输出，如果可以，你把完整的频率配置发来看看
至于第二家公司的，也不是不能这么做，要解决本振反向辐射，和镜抗问题，可以在射频上采用窄带电调滤波器等办法，提高抑制度，每家公司都有自己的绝活，不能一概而论。
常规的超外差中频选择还需规避三阶五阶组合，等等

reply2010

回复 4# lyqnuaa


   谢谢lyqnuaa ,您真是老师啊,你qq多少,我可以在qq上给您发下实物图片,我们可以进一步讨论,向您学习,谢谢

reply2010

谢谢lyqnuaa老师,真是厉害,您qq多少,我给您发下相关实物图片,我们可以进一步讨论,谢谢

reply2010

谢谢,谢谢，非常感谢。您qq多少，我下来可以给您发下我的思路及相关图片，以便进一步讨论。

lyqnuaa

不客气，给我发邮件吧lyqjec@163.com

power2268

zhaoxiumao

使用ADS应该可以做相应的仿真