电路级esd仿真怎么添加信号？

hehuachangkai · 发表于 2015-8-3 13:45:56

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对于gcnmos（RC power clamp）和ggnmos构成的esd，电源是给成阶跃响应还是pulse呢？各上升时间，hold时间应该为多少比较合适？比如HBM模式，我给2KV电压，上升时间10ns，保持时间大于100ns的pulse，看流过MOS管得电流能否在这100ns内放完，对吗？

DOONPENG007 · 发表于 2015-8-4 10:57:14

8KV/15KV/30KV以上的全芯片ESD solution可以找我
QQ：2592863112

jian1712 · 发表于 2015-8-5 12:51:18

回复 1# hehuachangkai
1.想看device size够不够么，你这样仿是看不出来的，ESD性能很大一部分取决于版图画法，比如线宽/孔个数，摆放的位置，如果关注device size，可以看看design rule中有没有给GGNMOS的Size2.GCNMOS很多时候在调RC的大小，但是2KV/10ns rise time/100ns有点太夸张了，HBM模式下，2KV是有1.5K的电阻和ESD device共同分担的，所以ESD device上的电压理想应该是小于被保护器件的BVDSS
3.GCNMOS RC怎么设计，ESD in silicon integrated circuits中有章节专门讲的，看后必有收获

个人拙见，欢迎指正

gugu810 · 发表于 2020-8-6 13:31:55

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