在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 10180|回复: 14

电阻的温度系数可能为负吗??

[复制链接]
发表于 2007-4-15 23:26:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
从同学那里copy了一个库文件来做前端仿真,发现有几种电阻的TCf是负的,看库文件里面的描述发现确实可能为负。
但是从物理层面来说,电阻就是无规则热运动导致的,怎么可能会有负的温度系数呢?
迷糊了,哪位指点一下,谢谢!!!
发表于 2007-4-16 10:10:15 | 显示全部楼层
半导体工艺里的电阻,经常会参杂p型或者n型的杂质,和分立器件的电阻不一样。
发表于 2007-4-16 21:58:25 | 显示全部楼层
电阻的温度系数完全有可能为负!
例如:SMIC 0.18um工艺里面
Silicide N+ diffusion resistor的温度系数TC1=3.12E-3
Non-Silicide N+ Poly resistor的温度系数TC1=-1.35E-3
电阻和掺杂类型,掺杂浓度和材料有关
比如说Si和多晶硅材料肯定不同
记得以前学半导体物理的书里面有关于半导体材料
的电阻率方面的内容,电阻和载流子浓度,迁移率等参数都有关系的 ,具体怎么算还给老师了
发表于 2007-4-16 22:05:55 | 显示全部楼层
电阻只是满足R=V/I的表达式,
不同工艺会提供不同类型电阻,
当然就会有不同电阻方块值、温度特性。
发表于 2007-5-1 16:29:22 | 显示全部楼层
一般掺杂Si(多晶Si)电阻的温度系数为正温,而本征或称为高阻Si(多晶Si)为负温系数,金属电阻为正温系数。
发表于 2007-5-15 21:27:01 | 显示全部楼层
CMOS工艺中完全可能,现在用的HR电阻就是负的温度系数
发表于 2007-5-15 21:38:15 | 显示全部楼层
在集成电路正负温度系数的电阻都有,主要是由于电阻掺杂类型所致!
发表于 2007-5-15 21:40:21 | 显示全部楼层
在集成电路正负温度系数的电阻都有,主要是由于电阻掺杂类型所致!
发表于 2007-5-20 00:42:56 | 显示全部楼层
在振荡电路中负阻还是非常重要的哦
发表于 2007-5-24 22:26:57 | 显示全部楼层
一般的电阻都是正温度系数,例如 base P  、注入电阻。 而且随着方块值的增加,即浓度的不同,温度系数也不同。
poly电阻比较特殊,高阻poly属于负温度系数,而低阻的poly属于正温度系数。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-6-9 12:01 , Processed in 0.028574 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表