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查看: 4529|回复: 7

[讨论] 运放 smic40nm工艺1.1V 可行与不可行

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发表于 2015-5-28 19:19:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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若想要在smic40nm 1.1V条件下,设计一款电源电压为1.1V供电的运放,请大家浅谈一下可行不可行的想法,例如leakage current等!
多谢多谢
 楼主| 发表于 2015-5-29 10:12:11 | 显示全部楼层
有过相关了解的大侠,赐教。。。
发表于 2015-5-29 10:37:14 | 显示全部楼层
当然可以,都量产无数了
 楼主| 发表于 2015-5-29 17:56:08 | 显示全部楼层
回复 3# vdslafe


  在40nm工艺下,用于1.1V和2.5V的运放,leakage方面考虑的话,阁下能否提供一些见解??多谢
发表于 2015-5-29 20:12:24 | 显示全部楼层
1.0 都没有问题
发表于 2015-6-1 09:41:47 | 显示全部楼层
回复 4# 薛定谔的太极拳


    运放串了那么多管子,而且L经常不是最小的,leakage 问题比数字电路小了N多了。实在很担心leakage, 就在电源上加个power swtich,整个芯片做好power management 就好
发表于 2018-1-2 20:00:20 | 显示全部楼层
回复 5# semico_ljj


   1V的运放,输入差分对的尾电流源要自适应偏置了吧?
发表于 2018-1-4 15:28:54 | 显示全部楼层
根据对管P/N  共模点不能偏的太多吧
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