在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4489|回复: 7

[讨论] 运放 smic40nm工艺1.1V 可行与不可行

[复制链接]
发表于 2015-5-28 19:19:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
若想要在smic40nm 1.1V条件下,设计一款电源电压为1.1V供电的运放,请大家浅谈一下可行不可行的想法,例如leakage current等!
多谢多谢
 楼主| 发表于 2015-5-29 10:12:11 | 显示全部楼层
有过相关了解的大侠,赐教。。。
发表于 2015-5-29 10:37:14 | 显示全部楼层
当然可以,都量产无数了
 楼主| 发表于 2015-5-29 17:56:08 | 显示全部楼层
回复 3# vdslafe


  在40nm工艺下,用于1.1V和2.5V的运放,leakage方面考虑的话,阁下能否提供一些见解??多谢
发表于 2015-5-29 20:12:24 | 显示全部楼层
1.0 都没有问题
发表于 2015-6-1 09:41:47 | 显示全部楼层
回复 4# 薛定谔的太极拳


    运放串了那么多管子,而且L经常不是最小的,leakage 问题比数字电路小了N多了。实在很担心leakage, 就在电源上加个power swtich,整个芯片做好power management 就好
发表于 2018-1-2 20:00:20 | 显示全部楼层
回复 5# semico_ljj


   1V的运放,输入差分对的尾电流源要自适应偏置了吧?
发表于 2018-1-4 15:28:54 | 显示全部楼层
根据对管P/N  共模点不能偏的太多吧
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-14 22:19 , Processed in 0.023415 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表