求助：sentaurus ＴＣＡＤ ＳＤＥ设置问题，求大神指教

月神军

毕设作死的接了个模拟仿真的题目，AlGaNGaN HEMT器件势垒层的结构和掺杂研究，，现在还没搞定。。。GaN_HFET_dc这个例子自带的说明里有这么一句：
The simulated device structure includes a 2ｕｍ GaN bulk　layer, capped by a 25 nm Al x Ga 1–x N barrier, with  x=0.3 ,defined by the Sentaurus Workbench variable.
然后ｓｗｂ显示有个变量ｘ初始值是0.3：

                               
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ｃｏｍｍａｎｄｓ里定义是：
; Molefraction definition
(define x_AlGaN  @x@)
调用部分应该是这个：
; --------------------------------------------------------------------------------
; Place AlGaN mole fraction
; --------------------------------------------------------------------------------
(sdedr:define-constant-profile "CP.xMole" "xMoleFraction" x_AlGaN)
(sdedr:define-constant-profile-material "CP.xMole" "CP.xMole" "AlGaN" 0 0 "Replace")

我现在需要修改这个ｘ的值，可是修改完以后（哪怕仍然是０．３这个数），运行就会出错，出错原因是define-constant-profile-material的值类型不对：
SCHEME COMMAND 28
*** Error
sdedr:define-constant-profile-material: wrong argument type integer (expected string or symbol)


这个，，为什么原来的就能进行模拟，改个数就不行了？应该是我还没搞明白ｃｏｍｍａｎｄｓ的编写规则，不过去哪学也不知道。。。

希望哪位大神能帮忙解决下这个问题，，或者推荐个学习资料啥的，，不胜感激，，

附上ｃｏｍｍａｎｄｓ和ｏｕｔｐｕｔ的截图

                               
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亘古的山

看看。。。。。。。。