源漏穿通和DIBL的区别

渡渡 · 发表于 2015-4-19 11:32:18

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源漏穿通是大的VDS是的源漏的耗尽层连在一起。
DIBL是大的VDS导致源漏之间的势垒降低，VTH降低。

总觉得这两种短沟道效应很相似呢？有高手能讲解一下这两者之间的本质区别吗？怎么区分呢？
在下先谢谢了！

渡渡 · 发表于 2015-4-20 12:49:34

再顶，求指导

bright_pan · 发表于 2015-4-20 14:09:38

你所谓的漏源穿通是ｐｕｎｃｈ　ｔｈｒｏｕｇｈ？

天牛不唱歌 · 发表于 2015-4-20 14:36:04

VTH降到0，你不就穿通了吗。

hehuachangkai · 发表于 2015-4-20 15:46:22

是不是这样子的：两者一般都发生在短沟道器件中，只是发生的先后顺序不同，穿通（源漏之间bulk击穿）一定发生在DIBL之后，因此穿通可以看做是DIBL的终极情况，即漏端电位被拉低到源电位。

渡渡 · 发表于 2015-4-20 18:44:05

回复 3# bright_pan

是的啊

渡渡 · 发表于 2015-4-20 18:45:26

回复 4# 天牛不唱歌

难道穿通是VTH降到0，而DIBL是VTH降不到0吗？

渡渡 · 发表于 2015-4-20 18:48:18

回复 5# hehuachangkai

我也是这样想的啊，就是书上也没有具体讲两者的关系，都是分别说明两种现象。而我又觉得这两种现象比较像，所以才来咨询一下，应该什么时候考虑源漏穿通，什么时候考虑DIBL的啊

。

渡渡 · 发表于 2015-4-22 08:14:11

再顶一下

BlackAnalog · 发表于 2020-12-22 08:46:51

再顶一下

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