关于n型Poly电阻疑惑？

lmgrd · 发表于 2015-4-15 14:00:43

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请教各位大神：工艺库里n型Poly电阻为两端器件，请问在实际生产出来的电阻下边，会形成nwell区吗？
还是在N+注入之前，场区氧化层根本不会腐蚀掉（不会形成nwell）？
欢迎讨论，谢谢~

lmgrd · 发表于 2015-4-15 14:01:58

PS~ 若在n型poly电阻下边会形成n阱，那岂不是悬空了？

supericeman999 · 发表于 2015-4-15 14:27:42

不會~~~~

lmgrd · 发表于 2015-4-15 14:49:40

NIMP是注入层次，对poly进行掺杂，但是对下面的场区无改变。
故不会形成nw~~

maomao198477 · 发表于 2015-4-15 15:39:16

看看工艺相关的书籍

icfbicfb · 发表于 2015-4-15 17:58:01

只是poly 掺杂n+而已，和nwell没任何关系的

lmgrd · 发表于 2015-4-17 14:33:20

回复 6# icfbicfb

是的谢谢

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