求助。关于亚阈值区MOS管漏电流，有公式吗？谢谢

s421490542 · 发表于 2015-4-1 13:00:36

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

我想做一个微功耗带隙基准，输出电流在500nA，这个时候就要求管子工作在亚阈值区，我看国外的一些文献上没有公式，所以我想问一下当管子工作在亚阈值区时，有没有ID的公式。谢谢各位。

s421490542 · 发表于 2015-4-1 13:05:22

自己顶一个。帮帮忙。。。谢谢

moonpluto · 发表于 2015-4-1 16:56:45

有的, wiley的书里面有

s421490542 · 发表于 2015-4-2 11:15:34

回复 3# moonpluto

大神能帮我找一下那个公式嘛。。。我手头上没有那本书啊。。谢谢大神

xhfwithe · 发表于 2016-4-24 09:27:27

id近似等于 W/L *Id0*exp(Vgs/(nkt/q))

xinleiye · 发表于 2016-5-18 11:05:22

回复 5# xhfwithe

指数分母应该是Vgs-Vth吧

569038754 · 发表于 2016-12-12 16:57:08

文献里有！

背对背拥抱 · 发表于 2017-7-10 11:07:09

Id=Io exp(Vgs/ζVt)

v0815v · 发表于 2018-1-18 11:37:13

回复 8# 背对背拥抱
求问公式中的I0具体是什么？跟什么有关

MicroEpzc · 发表于 2018-3-20 10:16:18

回复 9# v0815v

求同问，我的教材上公式为: I=Vt^2*Cd*exp((Vgs-Vth)/Vt)*(W/L)*(1-exp(-Vds/Vt))……

[求助] 求助。关于亚阈值区MOS管漏电流，有公式吗？谢谢