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[原创] 两个地之间的ESD保护

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发表于 2015-3-31 11:32:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在芯片中用到了数字地和模拟地,为了有更好的ESD防护能力通常在两个地之间通过二极管连接起来,在图中,1二极管是P+/NWELL形成的二极管,2是N+/PSUB形成的二极管,为什么使用两种不同类型的二极管,为什么不都使用P+/NWELL形成的二极管,这样设计有什么好处
发表于 2015-3-31 15:09:52 | 显示全部楼层
因为硅片衬底只有一个, 即PSUB需连到VSS
发表于 2015-3-31 15:15:08 | 显示全部楼层
因为芯片的衬底只有一个, 即PSUB连接VSS
发表于 2015-4-1 21:53:04 | 显示全部楼层
如果是用P plus / Nwell走正向电流,其实它跟Psub就形成VPNP,这样会有大电流注入到psub,有可能会触发LU,NWell接地总不放心。另外,都用P/NW也费面积。
发表于 2015-4-2 16:00:17 | 显示全部楼层
latchup需要有电源到地的通路才会发生, 两个VSS之间是不会latchup的.
发表于 2015-4-2 19:33:49 | 显示全部楼层
vss issue !
发表于 2015-5-12 17:44:50 | 显示全部楼层
啊。对呀。为什么呢?我也没想通
发表于 2015-5-18 23:55:01 | 显示全部楼层
其實我也ㄧ直想要問~~~~
发表于 2015-5-25 21:06:40 | 显示全部楼层
发表于 2015-7-7 16:13:39 | 显示全部楼层
这是因为版图好画的缘故,用作ESD保护的IO内部同时也有EM要求,因此需要保证金属线笔直宽阔。这样的金属线纪要同时连接一个diode的阴极和另一个diode的阳极,这两个diode只能是不同类型。
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