问下关于power clamp ESD对源电压过充是否有保护作用的问题

lfh1989 · 发表于 2015-3-20 22:55:46

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这个芯片比较特殊需要将一个高压芯片和一个低压芯片封在一起来用，【两个子芯片形成一个母芯片】
母芯片外部外部接高压，内部一个LDO将输出一个低压用来驱动低压子芯片，由于这个低电源电压没用到母芯片外的引脚，就不方便接外部大电容，只能在高压芯片内部做一个片上电容。现在问题就是电路启动的时候高压子芯片输出的低电源电压过充比较大，超过低压芯片的额定工作电压，理想电源上电的话大概过充有几微秒，能否利用低压子芯片内部的ESD来作为保护器件？这个ESD是GGNMOS做的snap back型，不是rail based那种导通型clamp。

albertyin · 发表于 2015-3-21 15:50:47

需要考虑几个方面:
1. 高压芯片的LDO供电能力. 如果低压芯片的ESD保护电路开启的话, 总共会有多少能量落在低压芯片上, 是否会损坏低压芯片.
2. LDO输出的上升斜率(应该会远低于ESD脉冲)是否能使GGNMOS在较低电压下进入snapback, 以免高压损坏低压芯片的其它器件.
3. 建议修改高压芯片的LDO, 避免上电过冲.

seven77 · 发表于 2017-8-2 10:02:18

学习。。。

max_max · 发表于 2017-8-23 02:17:50

一般漏极触发esd电压在12V左右,耐压值要看你电阻选多大,电阻大小也会影响esd触发电压,电阻越大,触发电压越小.

巧克力的冬天 · 发表于 2017-9-14 09:11:49

学习了

巧克力的冬天 · 发表于 2017-9-14 09:13:25

感谢分享

3512596 · 发表于 2017-10-16 16:53:12

学习了

江湖人92 · 发表于 2019-1-22 10:52:57

学习了

ch085234 · 发表于 2019-1-22 10:57:46

学习了

wenfangsibao · 发表于 2022-2-24 21:26:10

请问什么是 snapback ?

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