ICC中关于IR Drop的一个问题

jiazhang · 发表于 2015-3-17 20:04:46

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请教下，为什么IR Drop发生在了右上角，按理说不都应该是chip的中间部分么

chunjiahua · 发表于 2015-3-17 22:46:22

是不是离电压端远？

jinwei91 · 发表于 2015-3-18 09:44:16

一是要看你的供电点的位置，二是要看你的那块区域的standard cell的utilization是不是太高了。

heihei5200 · 发表于 2015-3-18 10:47:08

哪些地方容易出现IR drop问题:
1. 离电源远-- 你看看右上角是不是没有电源PAD,或者你没接入
2. toggle rate高且cell density 大-- 看图发红的是个mem，不存在这个问题

还是从1着手吧

icfbicfb · 发表于 2015-3-18 12:08:25

右上方是个啥， pll么？

还有：你是在postcts后做的ir-drop分析么， cts前不准的

jiazhang · 发表于 2015-3-18 12:19:04

回复 5# icfbicfb
恩右上方是个PLL，也是在floorplan阶段，virtual place之后做的ir drop，做ir drop分析好大概计算strap和ring的条数和宽度 (PNS PNA）

那这么说这个没有意义吗？

jiazhang · 发表于 2015-3-18 12:23:20

回复 4# heihei5200

电源pad只在chip的每条边的中间，右上角是没有电源pad的，但左上角也没有电源pad啊，且两个IP都是和PLL
相关的东西，是因为右上方那个IP下方还有cell导致的吗？

icfbicfb · 发表于 2015-3-18 14:39:06

因为clk是pll输出的， cts前 clocktree fanout 很大，因此在这里，

做完cts后图就正常了，

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