模拟高速电路加dummy

liuycto · 发表于 2015-3-12 09:19:20

回复 10# PERRY_C
好像寄生参数提取工具，还不能按区域进行寄生参数的提取.但是你可以单端提IO寄生参数或不提；模拟部分单独解决density后进行寄生参数提取；逻辑电路部分直接用门级电路网表；将这三部分整合在一起；进行后仿真；这样虽说和实际情况会有差异，但差异不会太大。

wkfr · 发表于 2015-3-12 10:19:47

回复 8# PERRY_C

1.25G的频率不算高可以提取部分有dummy的电路然后仿真看看对整体电路影响多少一般可以提取关键的部分还有整体的density满足了局部仍然可以加只要不要高过 global 的 maximum density就可以
或者就重新弄一下整个芯片的dummy
一般填充dummy的适合都是先填local （关键部分）然后在一些无所谓的地方加很多来满足global的
至少我是这样做的当然不同的工艺甚至不同的fab都有不一样的规定

ksg12 · 发表于 2015-3-12 16:28:23

做法：按照工厂提供的dummy rule进行添加(calibre 做的很好)，若是你真的很介意某个局部添加，你跟工厂沟通一下，可以不加。如金属螺旋电感，一般用顶层金做，下面都是空的。。。。

semico_ljj · 发表于 2015-3-12 20:32:29

1G dummy metal dummy 基本可以忽略！

nanke · 发表于 2021-3-13 14:09:14

本帖最后由 nanke 于 2021-3-13 14:19 编辑

semico_ljj 发表于 2015-3-12 20:32
1G dummy metal dummy 基本可以忽略！

看有帖子说，metal dummy也就影响5ps，不知是否只有这么大，只能仿真看下了。

挖了个坟，还没法撤销。。。

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