[求助]以P衬底和N阱搭成的二极管的反向耐压大概为多少

wangjueing · 发表于 2015-3-9 19:25:22

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RT，一般这类参数在foundary的什么文件里面能找到?

kenddo · 发表于 2015-3-10 09:23:50

在PCM 里面

wangjueing · 发表于 2015-3-10 14:42:12

回复 2# kenddo

可以具体点吗？ PCM文件一般是在工艺库里面自带还是说要找foundary要？菜鸟见谅。。。

wangjueing · 发表于 2015-3-11 14:41:23

自顶下

leelke · 发表于 2015-3-11 21:33:17

一般工艺耐压10V应该没问题

wangjueing · 发表于 2015-3-12 19:11:45

回复 5# leelke

感谢~~我是在做电荷泵电路，目标输出电压为12V，担心会N阱击穿P衬底，有没有这方面的经验？

leelke · 发表于 2015-3-18 17:02:11

回复 6# wangjueing

你是要用这个二极管做电荷泵的开关吗？
这个耐压不同工艺的极限不一样，最好和工艺厂沟通下，或者自己测测PCM

wangjueing · 发表于 2015-4-1 21:32:52

回复 7# leelke

还是联系代工厂了，谢谢~~

chenqiwei · 发表于 2015-4-1 21:35:56

不是有工艺文件吗？12V基本死窍了。建议做隔离

pulseld · 发表于 2015-4-5 21:39:29

了解一下。

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