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[原创] 关于锗的SILVACO仿真程序

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发表于 2015-3-7 16:09:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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关于锗的SILVACO仿真程序
为什我将下面的硅换成锗之后,程序就一直停留在solve        vdrain=0.05,只有将其值改为0,并将后一句删除才会有输出,但输出并不好。求一个关于锗的SILVACO仿真程序
go atlas
TITLE SOI device simulation
# SILVACO International 1992, 1993, 1994, 1995, 1996
#
# 0.2um of silicon on 0.4um oxide substrate     
#
mesh   space.mult=1.0
#
x.mesh loc=0.00   spac=0.50
x.mesh loc=1.15   spac=0.02
x.mesh loc=1.5    spac=0.1
x.mesh loc=1.85   spac=0.02
x.mesh loc=3      spac=0.5
#
y.mesh loc=-0.017 spac=0.02
y.mesh loc=0.00   spac=0.005
y.mesh loc=0.1    spac=0.02
y.mesh loc=0.2    spac=0.01
y.mesh loc=0.6    spac=0.25
#
region      num=1 y.max=0 oxide
region      num=2 y.min=0 y.max=0.2 silicon
region      num=3 y.min=0.2  oxide
#
#*********** define the electrodes ************
# #1-GATE #2-SOURCE #3-DRAIN #4-SUBSTRATE(below oxide)
#
electrode     name=gate    x.min=1 x.max=2 y.min=-0.017 y.max=-0.017
electrode     name=source x.max=0.5 y.min=0 y.max=0
electrode     name=drain  x.min=2.5 y.min=0 y.max=0
electrode     substrate
#
#*********** define the doping concentrations *****
#
doping       uniform conc=2e17 p.type  reg=2
doping       gauss n.type conc=1e20 char=0.2 lat.char=0.05 reg=2 x.r=1.0
doping       gauss n.type conc=1e20 char=0.2 lat.char=0.05 reg=2 x.l=2.0
save         outf=soiex01_0.str
tonyplot     soiex01_0.str -set soiex01_0.set
#
# set interface charge separately on front and back oxide interfaces
interf       qf=3e10 y.max=0.1
interf       qf=1e11 y.min=0.1
#
# set workfunction of gate
contact      name=gate n.poly
#
# select models
models       conmob srh auger bgn fldmob print
#
solve init
#
# do IDVG characteristic
#
method       newton    trap
solve        prev
solve        vgate=-0.2
solve        vdrain=0.05
solve        vdrain=0.1
#
# ramp gate voltage
log         outf=soiex01_1.log master
solve       vgate=0.1 vstep=0.1 name=gate vfinal=1.5
#
# plot resultant IDVG threshold voltage curve
tonyplot    soiex01_1.log -set soiex01_1.set
#
# plot resultant IDVG subthreshold slope curve
tonyplot    soiex01_1.log -set soiex01_2.set
#
#
extract name="subvt" \
        1.0/slope(maxslope(curve(v."gate",log10(abs(i."drain")))))
#
#
extract name="vt" (xintercept(maxslope(curve(v."gate",abs(i."drain")))) \
        - abs(ave(v."drain"))/2.0)
#
quit
发表于 2015-3-7 19:28:48 | 显示全部楼层
看看啊
 楼主| 发表于 2015-3-9 14:37:12 | 显示全部楼层
回复 2# you_238


    知道是为什么不??或者有没有关于锗的程序,有的话可以发一个给我吗??2361247220@qq.com
 楼主| 发表于 2015-3-9 14:39:40 | 显示全部楼层
回复 2# you_238


    知道是为什么不??或者你是否有关于锗的程序,有的话可以发一份给我不,2361247220@qq.com
发表于 2017-6-30 01:05:33 | 显示全部楼层
你换成锗的依据是什么,材料参数都不同,你不改器件的其它参数,怎么可能仿出一样的效果
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