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查看: 10762|回复: 8

[求助] 关于TSMC 40nm shrink的问题,请大家不吝赐教!

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发表于 2015-2-15 18:41:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们知道TSMC 40nm工艺是由45nm工艺直接微缩 (Linear shrink)得来的。

那么,如果打算用TSMC 40nm投片,数字部分综合的时候,DC综合得出的面积,是基于45nm下的吗?如果要想知道40nm下的工艺,还要再乘以一个系数??
发表于 2015-2-16 10:29:43 | 显示全部楼层
一般是这样的。跟你拿到的lib有关
发表于 2015-2-16 14:44:51 | 显示全部楼层
不需要的,40的flow是transparent的,就是你根部不需要管什么45,40
直接用40的东西做就行了
 楼主| 发表于 2015-2-19 21:55:58 | 显示全部楼层
回复 3# icfbicfb


    谢谢指点!
如果是已经使用了40nm的库,那为什么有些人还需要shrink的面积呢?
对这个shrink面积不是很理解,能解释一下吗?

谢谢!
发表于 2015-2-20 08:38:16 | 显示全部楼层
die size * 0.81 ( each side shrink 0.9 )
发表于 2015-2-23 14:35:32 | 显示全部楼层
where?
发表于 2016-4-29 10:33:49 | 显示全部楼层
回复 5# icfbicfb


   正解!
发表于 2016-10-20 20:34:32 | 显示全部楼层
我来评价一下,这套库整体不错
发表于 2017-5-2 15:47:21 | 显示全部楼层
回复 1# merkury


   楼主你好,请问你当时做TSMC40的时候,MOS管最小的Length是取40nm还是45nm?因为要shrink,实在不知道怎么取size。
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