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查看: 3835|回复: 14

[讨论] 40V / 5V 二级电源

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发表于 2015-2-4 09:42:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想做一个芯片内部的二级电源,功率大概是5V*5mA,外部电源电压是10V~40V。
原来想的是用LDO的方法产生5V电压源,但外部输入电压范围太大,不太好做。也考虑过用charge pump的方法,但这样noise会很大。
器件有5V 的nmos、pmos,40V/40V的高压pmos和高压nmos。
不知道大家有没有好的建议?
谢谢了。
发表于 2015-2-4 12:52:31 | 显示全部楼层
果断DCDC啊,还有什么好犹豫呢
 楼主| 发表于 2015-2-4 13:26:36 | 显示全部楼层
回复 2# xjf20072608


    不太明白。
发表于 2015-2-4 13:28:33 | 显示全部楼层
学习一下,
发表于 2015-2-4 23:27:52 | 显示全部楼层
用Ldo,不要考虑别的
发表于 2015-2-5 01:32:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2015-2-5 01:34 编辑

齐纳管预稳压。
发表于 2015-2-5 10:37:18 | 显示全部楼层
5mA太大了,你不会连输出电流也是来自内部电源吧
发表于 2015-2-5 11:02:39 | 显示全部楼层
回复 7# chenqiwei


    5ma不大。
发表于 2015-2-5 11:37:20 | 显示全部楼层
回复 8# hszgl
如果用齐纳二极管,它会有电流损耗,导致芯片IQ很大,只能加大限流电阻.加入使能控制信号来降低IQ,又会导致使能信号的开启电压要大于齐纳二极管的电压.
5毫安,芯片内部有振荡器吧
发表于 2015-2-6 01:16:30 | 显示全部楼层
回复 9# chenqiwei


   电流损耗会有一点,但不会很大,几百uA吧。太大说明你设计的不好。
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