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楼主: lishiliang

[讨论] 关于MOS失配,Avt和sigma的考虑

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发表于 2015-1-12 09:44:26 | 显示全部楼层
回复 1# lishiliang

sigma(ΔVth)=Avt/sqrt(W*L)。
一般失配说的应该是σ(ΔVth)吧,感觉Avt是为了方便表示σ(ΔVth)和1/sqrt(W*L)的关系,人为造出来的一个参数。
一般,我是利用mentoCarlo仿真得到σ(ΔVth),设置不同w*L,得到图表,斜率即为Avt。
发表于 2015-1-12 09:47:54 | 显示全部楼层
回复 4# lishiliang

这张ppt看的话,我觉得是不是应该找找原版怎么描述的。这个期望指的是数学期望还是希望的意思?
发表于 2015-1-12 11:05:13 | 显示全部楼层
sigma不就是和Avt正相关的吗
发表于 2015-1-12 20:40:54 | 显示全部楼层
有点混乱
发表于 2015-1-13 15:34:18 | 显示全部楼层
楼主,这是模型决定的。看你的描述似乎这个模型是这样的,
1.由栅氧层的厚度决定失配阈值电压的大小(也就是分布的中心值)
2.由MOS管的几何面积来决定该失配阈值电压的分布范围
从几何上看,1是厚度,2是面积。1, 2似乎关联不是太大,楼主分开考虑就很明白了,至于这个模型是否精确,我想是作者认为工艺能够达到这样水平。
发表于 2015-1-13 16:23:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 real_man 于 2015-1-13 16:32 编辑

回复 1# lishiliang

先把单位搞清楚。
Avt=a mV.um, Vt=b mV
你的差分对每个管子阈值分别为 Vt0=Vtz+delta_Vt0, Vt1=Vtz+delta_Vt1。比如分别为0.51V=0.5V+0.01V,0.53V=0.5V+0.03V.
你是不可能得到完全一样的Vt0和Vt1的,这是绝对值。
但是我们可以通过增加面积来使两者足够接近,比如说都趋近于0.5V,当然那批工艺也可能是趋近于0.51V,这都是绝对值。
根据前人大牛们的数学推倒及测试数据验证,一批次的工艺,有这样的关系,sigma(Vt0-Vt1)=sigma(delta_Vt)=Avt/sqrt(WL)。Avt就是做出来的一个拟合系数而已,不同工艺,不同值。这里的sigma是标准差,就是说测了一堆Vt的值,发现Vt值得波动,在两两差值上存在这么一个统计的关系。此时的sigma单位也为mV。

所以说,谁要是说让你做一个两个阈值绝对值都是0.5V的匹配,你让他哪凉快哪玩去。
你只能保证说,我可以把两个管子的阈值的绝对值都做到趋向于0.5V,或是都趋向于0.51V,这个具体的数值当然跟你的工艺相关了。

然后你又说,怎么有些设计指标对失配有要求呢?这个。。。你把这个指标看做是Vt的函数,那这个函数值是不是就也有统计规律了?那这个统计规律通过函数关系是不是就最终推到跟最基本的Vt, beta等等变量的统计规律有关系了?
发表于 2015-1-14 16:01:22 | 显示全部楼层
回复 1# lishiliang


   顶了!下来看看。
发表于 2020-3-25 11:54:21 | 显示全部楼层
请教下一个sigma对应6%的误差是什么意思?
发表于 2021-5-10 11:16:31 | 显示全部楼层
Avt=tox*(掺杂浓度Nb)^(1/4) ? why?
发表于 2021-5-25 21:00:00 | 显示全部楼层


kaikanertan 发表于 2015-1-12 09:44
回复 1# lishiliang

sigma(ΔVth)=Avt/sqrt(W*L)。


你好。请问你是如何设置蒙特卡洛仿真得到sigma(ΔVth)这个参数的?希望您多多指点
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