芯片流片回来出现闩锁

sjun · 发表于 2014-12-9 14:43:15

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如题，最近流片回来的芯片在测试时经常会出现大电流的问题，怀疑是latch up了，具体试情况是这样的：示波器探头不加在IO上的时候，外面出现干扰(如开关灯），基本不会闩锁，但是加上探头的话，外面出现干扰，闩锁的可能性很大，另外探头加在输出管脚比输入管脚闩锁可能性更大。检查版图，发现内部输出PMOS与NMOS间距小的(约5.3um，0.5um工艺）更容易闩锁。猜测是探头耦合了大的干扰信号，使得漏衬反向击穿，从而触发闩锁。不知道各位有没有类似的经验，在版图设计时是不是得对输出管脚的P管和N管进行特别的设计，0.5um工艺P管和N管保险间距是多少呢？谢谢！

twostage · 发表于 2014-12-10 11:25:21

原理图
回复 1# sjun
在加上探头一类的东西之后，可能会提供较大的驱动，打开内部那个SCR结构……我只是推测，当时解决方法是多加一个环

korli319 · 发表于 2014-12-10 21:29:51

一般的遇到latch up 问题都会在版图上进行双环隔离，但其实效果并不大，解决最根本的方法还是要将两个管子子距离拉大，设计规则上一般规定是20um,但我们一般最低要在10um以上!
还有种方法就是尽量不要采用pmos，用其它的结构代替！

sjun · 发表于 2014-12-10 22:03:36

回复 3# korli319

这个20um是指输出驱动管之间的距离还是说内部所有管子都要保持20um的间距？

korli319 · 发表于 2014-12-11 12:41:22

回复 4# sjun

就是你IOPAD看进来的第一对驱动管要20um，如果你说我的输出驱动有二级三级一直到最后一级都放在同一个well里，而且都挨的很近，那么你这些都要20um，所以最好把最后一级的驱动与前几级分开，不要放在一个well，同时前几级的驱动的电源和地要和最后一级分开，最好做保护，那么这样的话你只需要把最后一级的驱动距离拉大就可以了，我想既然你的最后一级后面直接是看到的IOPAD，也就应该是做成ESD形式的管子的吧！