gm/id的物理实质是什么

xianwu_hs · 发表于 2015-8-12 08:51:22

新手看看

jyhking · 发表于 2015-8-27 10:45:57

谢谢分享

pengdingzhi · 发表于 2015-9-1 19:13:20

感谢分享~

jamsmith · 发表于 2015-9-4 14:43:13

谢谢2楼给的paper

zippo196 · 发表于 2015-9-13 20:21:19

谢谢分享/。。

pc0918 · 发表于 2015-11-5 14:06:17

回复 5# dingyaoshun

do u have this book？I cant find it in Taiwan

pc0918 · 发表于 2015-11-5 14:06:35

回复 5# dingyaoshun

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pc0918 · 发表于 2015-11-5 14:07:46

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bgd_wang · 发表于 2015-11-5 15:38:27

我的理解：gm=2Id/（Vgs-Vt),所以gm/Id=2/（Vgs-Vt),在模拟电路中，（Vgs-Vt)一般取0.15~0.2V,低于这个值，晶体管会进入弱反型区，临界点在70mV左右。在高频应用中，（Vgs-Vt)可以高的0.5V，再大容易进入线性区。故对于MOS来讲，gm/Id的典型值在10附近，在RF电路中可以低到4。而对于Bipolar器件，这个值常为40左右。这就意味着在相同的电流下，MOS比Bipolar提供更低的跨导！所以，是否可以这样理解，gm/Id其实就是反映器件的跨导的一种物理属性，我们在设计电路中，一旦设定Vgs-Vt，它就是一个定值。而记住这个好处在于它的精确性，它不像跨导的其它表达公式，包含K'这样的工艺参数。

taoxiaofeng2007 · 发表于 2015-11-8 22:31:37

谢谢分享

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