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各位大牛,求NMOS LDO的动态零点补偿的资料和paper
美国一篇专利的技术:引入一个动态的零点,从空载到重载400mA
这个动态零点跟随loading变化,消除次主极点;但因为无法精确跟随,只能补偿个大概其,最坏的情况出现在两个主次极点重叠的区域(loading大概10mA左右吧),此时零点就放在重叠的区域,把最worst 的case好好补一补,此时tt corner phase只有30度左右,极限corner更差,只有一二十度;朋友就采用这种技术,但芯片回来测试没有问题,还成功量产卖了几百K了; |
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