TSMC BCD 为何有2种高压管：后缀_mac和不带_mac？

txwd_0111 · 发表于 2017-5-29 10:01:46

学习一下

高晨阳 · 发表于 2017-6-20 14:44:54

学习一下

lynker · 发表于 2017-6-20 16:18:31

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s970333 · 发表于 2017-11-3 18:00:41

学习一下

dotana · 发表于 2018-5-11 08:47:33

我有同样的问题，现在回答。

peterlin2010 · 发表于 2019-1-16 23:25:37

回复 10# 小豆丁

iso device Nmos bulk-source 可省去BODY EFFECT
ISO 一般比较大

还有种LDNMOS 有分 hi-side , low-side
hi-side source 才能耐压

有些使用如LDO 推 NMOS 会用ISO HVNMOS
如果工艺没有其实能用也可以画

就跟一些低压MOS 有时会拉开WELL 用到比5V 还高. 但是 FAB
没提供都无法 CHECK到，　ＬＡＹＯＵＴ要特别小心

PowerDesign · 发表于 2019-4-13 10:15:20

有完整的工艺库吗，共享一下，后可以解答了解文档

Aries_F · 发表于 2020-12-14 14:29:30

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21年跨行RFIC · 发表于 2022-2-28 23:09:24

谢谢

wx1999622 · 发表于 2022-3-19 10:30:49

这是用来跑mismatch的管子，和普通管一样，但是跑dcmatch还有啥的要换成这种跑

[原创] TSMC BCD 为何有2种高压管：后缀_mac和不带_mac？

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