ESD 失效如何解決?

jiazhuliang · 发表于 2014-8-20 22:33:03

从你的芯片版图IO环上可以看出，是电源环是物理隔离的，没有形成回路，打ESD导致往高压内部电源地网络中去啦，所以内部器件损坏。

yuray12 · 发表于 2014-8-21 09:34:57

分析-HBM 一般遵守FAB的ESD guildline可以pass 2KV
MM与CDM的ESD电路设计不同于HBM的ESD电路设计，需要再设计
也就是说,如果芯片需要PASS HBM/MM/CDM，需要有3套ESD电路
andyjackcao 发表于 2014-8-20 20:35

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感謝提示!!
請問一下所謂的3套esd電路具體來說是怎樣實現!! 是否可以說細一點?
for mm & cdm 分別要用怎樣的架構呢?

謝謝 Orz..

yuray12 · 发表于 2014-8-21 09:37:29

从你的芯片版图IO环上可以看出，是电源环是物理隔离的，没有形成回路，打ESD导致往高压内部电源地网络中去啦 ...
jiazhuliang 发表于 2014-8-20 22:33

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請問一下，所謂沒有形成回路是什麼意思，可否說明一下?
目前的layout方式是照fab建議的方式，跨domain的lay法也是，感覺上應該沒有什麼大問題才對，麻煩提示一下，謝謝!!

lpf025 · 发表于 2015-1-9 10:33:24

问题解决了么？？

pingdandan · 发表于 2015-1-9 14:28:50

layout应该画得也不好

wxf97841 · 发表于 2015-1-10 13:19:36

真有意思，最该pass的VDD-VSS出问题了。
这么多power domain很危险的啊，domain之间都必须加比较宽的guard ring隔离。
另外可以参考一下标准IO VDD和VDDH之间是怎么防备ESD的，除了VDD-VSS和VDDH-VSSH的clamp，
VDD-VSSH和VDDH-VSS之间也是有clamp的，另外VSS-VSSH之间有back-back diode，还有保证
有一个比较粗的通路当做ESD buss (在标准IO里面是VSSH).

你这么多VDD的domain，有保证不同的VDD对不同的VSS有clamp吗？不同的VSS之间是back to back diode相连吗？如果没有前者，那你的ESD buss只能有VSS来承担，那可得画得比较粗一点。还有两个power IO之间不能超过200u噢

上海大学 · 发表于 2015-1-17 18:03:15

做一下失效分析，拍照片

yuray12 · 发表于 2016-1-29 17:07:33

感謝感謝!!

lepetitprince · 发表于 2019-1-23 15:44:16

这个不懂哎

sunnyliu · 发表于 2024-10-1 11:11:03

VDD和VSS连接到内部的点是直接用top metal了还是从下层经过ESD器件后的M2（M1）接进去的。另外就是二级保护可能没有做好，跨电源域的输出输入的地方比较薄弱。

[求助] ESD 失效如何解決?

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