华虹BCD35能实现5V高压隔离型ESD吗？

sandpear · 发表于 2014-8-8 11:10:56

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想请教个问题，华虹BCD35 里面nl40和pl40（高压隔离标准5V MOS）也能按照design rule来做高压隔离ESD吧？请指点谢谢！

huangniuniu · 发表于 2014-8-9 19:31:08

这个工艺我用过，你说的是5V，外面加高压隔离环，抗噪声很好，最好不用于ESD隔离，BCD35有专门的高压ESD管，特别是量产，出问题，HHNEC不管。

sandpear · 发表于 2014-8-10 02:07:13

本帖最后由 sandpear 于 2014-8-10 02:36 编辑

这个工艺我用过，你说的是5V，外面加高压隔离环，抗噪声很好，最好不用于ESD隔离，BCD35有专门的高压ESD管， ...
huangniuniu 发表于 2014-8-9 19:31

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谢谢! 有的情况下需要使用高压隔离型ESD，例如一边PAD是20V，另一边PAD是25V，相差仅5V，而且这两个PAD之间是隔离型高压5V管。

一般高压隔离型5V管也能实现GGNMOS或者GDPMOS吧？结构和一般的标准5V管类似，只是在高压nwell/nbl里。

mainhand · 发表于 2018-3-25 22:22:07

谢谢指教！！！！！

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