charge pump

stephenia · 发表于 2014-7-28 10:07:11

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对于cross-couple charge pump circuit,大家有没有遇到过这种情况，简单说来就是第一级由于采用NMOS级联结构，由于电荷通过NMOS传导至第一个泵节点时需要一定时间，故第一个泵节点电压开始阶段不会太高（在mV级)。当泵节点通过电容所接的时钟由VDD翻转到0时，由于电容的两端电压差不能突变，泵节点电压就在原来基础上-VDD电压，显然泵节点电压会降至-1V以下，问题出现了，由于NMOS衬底接地，NMOS衬底二极管节正向导通了，出现warning-imelt!请问各位这种问题能怎么解决呢？还请不吝赐教！谢谢！电路如下图示。

stephenia · 发表于 2014-7-28 10:45:23

为模拟真实的情况，我将每个泵节点initial condition设为0.不设置的话，泵节点都有200mV的节点电压。泵节点降至最低-700mV左右，电路不会出现问题。

stephenia · 发表于 2014-7-28 21:19:39

电荷泵开始的几个nS泵节点没有充电，且如果泵节点initial condition不设置为0，泵节点会有200mV左右的泵电压，但现实电路中应该不会有电荷存在节点吧。这个问题可以忽略掉吗？会不会影响流片结果，比如把芯片烧掉呢？还请各位不吝赐教啊

daxigua179 · 发表于 2014-7-29 01:57:25

这样可能会 latchup. Tiple well 能用不？

stephenia · 发表于 2014-7-30 09:23:48

回复 4# daxigua179
电荷泵也只是开始的3ns左右第一个泵节点没有被charge,但是之后会正常工作。请问Tiple well 是指什么？谢谢

frankobvip · 发表于 2014-7-30 11:26:15

你这个pump仿真能电压能上去吗？第一级的两个管子能否导通？

stephenia · 发表于 2014-7-30 16:43:55

回复 6# frankobvip

只是开始阶段的几纳秒升压较慢，随后会持续升压，直至最高电压。仿真时，泵节点initial condition 需要设置为0吗？

daxigua179 · 发表于 2014-7-30 23:12:00

回复 5# stephenia

latch up 很多情况下取决于周围的器件而不是本身这个。一旦正反馈开始就很难从那个状态中出来，仿真看不出来什么。
triple well是三井工艺，你可以把nmos放到Pwell里面，这样isolation可能会好些

stephenia · 发表于 2014-7-31 09:56:22

回复 8# daxigua179 我这边使用的SMIC 0.18um CMOS N阱工艺啊，学校的不能和公司比啊。我现在有点纠结的是，在仿真中泵节点initial condition设置为0是不是能较好的模拟真实的芯片工作状态，还是无需考虑电荷泵泵节点initial condition呢？这对流片是至关重要的，请指点一下，谢谢。

frankobvip · 发表于 2014-7-31 10:25:18

回复 7# stephenia

你好，你的charge pump电路是对的吗？第一级的NMOS的衬底接地？除了第一级，后面的mos管都是Pmos？你这个电路是参考论文来的还是根据反向提图来的

[原创] charge pump

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