LDO 相位裕度问题

csslyou · 发表于 2014-7-22 11:48:16

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本人设计LDO时候，发现各个corner（tt、ff、ss、snfp、fnsp）、各种温度情况下、不同负载情况，发现虽然在最坏的情况下其环路相位裕度能达到45°时，而某些情况下其相位裕度都很大，甚至在110°左右。我们设计电路时候是否真的需要所有情况下相位裕度都达到45°？设计的LDO是给数字模块供电，输出电压1.5V，负载电流典型值2mA。发现所设计的LDO发现只能驱动负载电容小于50pF，不能驱动高容性负载，这样设计是不是不实际呢？
~谢谢！

csslyou · 发表于 2014-7-22 13:17:48

求解答。。。。谢谢~！

dscd1900 · 发表于 2014-7-25 09:19:09

我们设计电路时候是否真的需要所有情况下相位裕度都达到45°？ yes，可以更小点

dscd1900 · 发表于 2014-7-25 09:44:38

发现所设计的LDO发现只能驱动负载电容小于50pF；这个问题需评估你的实际负载电容的大小

tjuzhjian · 发表于 2014-7-25 13:28:34

负载电容会影响LDO输出的瞬态变化，你要看看你能允许你的LDO变化多少，从而确定50pF是不是够。

csslyou · 发表于 2014-7-25 17:03:07

回复 5# tjuzhjian
主要是驱动大容性负载时，比如100pF时，发现瞬态时恢复时间太慢了。如果容性负载太大，也可能导致相位裕度不够。

csslyou · 发表于 2014-7-25 17:08:46

回复 3# dscd1900
小于45°？如果拿去流片风险大吗？我现在调整了电路，频率补偿电容增大然后解决了小于45°的问题，但是发现在负载电流大于1mA时，其相位裕度都比较大，基本大于90°，这样是否相位裕度太大了呢？

elec_888 · 发表于 2014-7-25 19:35:07

had a very similar problem ... waiting answers

dscd1900 · 发表于 2014-7-26 16:00:19

回复 7# csslyou

同时check PM 和GM，扫描两者同rload的关系，所有corner下能保证PM大于30度，GM大于10度基本上就可以了，但是前提你的负载和应用环境得评估准确。

ytms123 · 发表于 2015-4-28 16:22:52

回复 7# csslyou

楼主相位裕度大的问题最终怎么解决的呢？？

[求助] LDO 相位裕度问题

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