增加驱动能力的缓冲器设计

赛江南 · 发表于 2014-7-18 12:09:53

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IC设计新手，现在设计了一个运放增益在60dB左右，带宽2M。可驱动能力不够，现在需要驱动10欧姆电阻和10nF的电容。需要设计一个缓冲器不知采用什么样的拓扑结构，求给各位大神指点下。。。。学习资料介绍也行。。。先谢过

victor0o0 · 发表于 2014-7-18 12:49:07

Class AB output stage?

赛江南 · 发表于 2014-7-18 13:11:12

回复 2# victor0o0

十分感谢你的回复，在拉扎维的那本书中9.7有提到一种单位的增益缓冲器，只是我不知道它能否驱动10欧姆的负载。。。

hyperion007 · 发表于 2014-7-18 13:39:43

帮楼主顶顶

semico_ljj · 发表于 2014-7-18 15:45:40

seeing

Vdsat · 发表于 2014-7-18 20:47:59

class AB，驱动10欧姆电阻，如果输出均值1V，就要100mA的输出电流能力

赛江南 · 发表于 2014-7-18 20:52:37

回复 6# Vdsat

是这样。。不知有什么其他的建议吗。。。

Vdsat · 发表于 2014-7-18 21:53:24

回复 7# 赛江南

看论文吧，这东西到处都是；

IC.Michael · 发表于 2014-7-19 18:16:45

我也刚好遇到这个问题呢，头疼的很。

[求助] 增加驱动能力的缓冲器设计