有人再開發 bridge driver IC 嗎?

xiaowanzi88 · 发表于 2014-9-12 23:47:50

这个完全靠工艺实现！也可以这样保守做法，采用双芯封，一颗做抵押控制器IC，一颗做高压Level Shift IC.通过Bonding连接起来。这样可以避免工艺不成熟引起高低压不兼容的问题。如果再集成Power MOS就很困难了，常用封装不能满足要求。

peterlin2010 · 发表于 2014-9-15 09:36:28

再集成Power MOS 是 vertical MOS / UMOS 類電流會比較大, 一般 UHV 600~700v LDMOS
都電流比較小 . 拿 ac -> dc 來說 ,
考慮到 switch  transformer spike (一般會有 snubber )
  因為一般會抓 600v ~700v  .
Id 一般雖然一次側電流不會太大但是一般 system level
都會要求外掛 mos 是 2n60 4n60
外掛得 power mos 都使用到 2A .
如果 700v LDMOS 電流要到2A  那肯定 size 超大 , 所以應該都不會如此大,
連 PI 都只有 ~幾百 ma LDMOS . 但是 ,這就有另個問題 , 會不會不夠大?

所以目前含 mos 有分
1. MCM 双芯封，一颗做低壓控制器IC，一颗做 Umos 可以買其他家來
2. UHV 工藝單一顆
但是 , 這兩類做好各有好壞, 不過對 system 來說 dip8 是只看到一顆完全不知道內部如何做,
所以也有廠商說双芯封不好 .

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