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查看: 3938|回复: 9

[求助] NMOS加双环,遇到了DIODENWX的问题。

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发表于 2014-7-6 02:53:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,    最近花版图,想给开关管(NMOS)加双环保护一下,内圈是 P-ring, 外圈是 N-ring,结果遇到了DRC问题,无法解决,问题是“DIODENWX not over DIODE" must be connected in parallel to a similar diode in a device which is compared in LVS。按照错误提示,我就在VDD和GND之间加了一个二极管,结果还是不行。唯一的办法就是去掉外圈的N-ring。
    我记得以前加双环从来没有遇到这个问题。向大家求教一下,首先这个diodenwx not over diode是什么意思。其次我觉得我加双环的方法应该是正确的,但是为什么会出现这个diode的问题。


    谢谢啦。
发表于 2014-7-7 13:09:59 | 显示全部楼层
上个图看看,这么说没法判断
 楼主| 发表于 2014-7-7 15:36:38 | 显示全部楼层
回复 2# gq3601357
fig1.png
fig2.png
发表于 2014-7-9 14:16:46 | 显示全部楼层
回复 3# 051021031


   试试NW和PW换个位置呢
发表于 2014-7-14 10:33:25 | 显示全部楼层
两环换下位置
 楼主| 发表于 2014-7-22 16:37:53 | 显示全部楼层
多谢楼上两位,很奇怪的是当这个版图和放大器版图连在一起之后,就没有这个DRC error了。
发表于 2014-7-23 11:18:12 | 显示全部楼层
一般遇到类似的DRC问题,你可以去看看command file中对这种错误的定义,然后你就可以知道应该如何做了。不过看你发出来的信息来看,可能是DRC的command filei中有些器件层次的定义有问题,我在一些工艺中就遇到过这种问题。和你的两个环的位置无关。其实你大可以把nmos的ptap直接做成p环,然后外面再加上一圈n环,这样还可以省点面积
 楼主| 发表于 2014-7-24 20:10:41 | 显示全部楼层
回复 7# randysong


   谢谢你的建议。
发表于 2014-7-30 22:59:10 | 显示全部楼层
应该是器件层次定义问题
发表于 2014-7-31 15:41:21 | 显示全部楼层
学习了,,,,,
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