求大神指点3个阈值电压有什么区别

0431207 · 发表于 2022-4-6 11:57:59

没有一个人说到点子上，3个VT 是有细微差别的，Vt-lin/Vt-Gam/Vt-sat 在实际测试数值上满足(以NMOS为例)： Vt-gm<Vt-liin<Vt-sat, 这个差别是测试所在的工作区域造成的，
阈值电压Vth_lin是晶体管工作在线性区，当晶体管刚开始导通电流时对应的栅电压，即Vth_lin=Vg@Id=0.1uA*W/L, Vd=0.05V, vs=vb=0。阈值电压Vth_gm是晶体管工作在线性区，跨导gm最大时对应的栅电压，Vth_gm=Vg@gm_max, Vd=0.05V, vs=vb=0。阈值电压Vth_sat是晶体管工作在饱和区，当晶体管开始导通电流时对应的栅电压，即Vth_sat=Vg@Id=0.1uA*W/L, Vd=power, vs=vb=0。由于实测时晶体管工作饱和区的电流驱动能力比工作在线性区的电流驱动能力强，因而有Vth_sat<Vth_lin。而Vt-Gm 是严格意义上的Vt, 比Vt-lin 恒定电流法要更加精确，因此Vt-gm 实测数值<vt-lin, 更接近于理论实际Vt

wsrzsg · 发表于 2022-5-6 22:20:38

mark一下

shauncc21 · 发表于 2022-5-12 23:39:56

用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践

fycokin · 发表于 2022-6-20 13:23:57

mark 学习一下

semi_bamboo · 发表于 2022-6-24 13:34:57

0431207 发表于 2022-4-6 11:57
没有一个人说到点子上，3个VT 是有细微差别的，Vt-lin/Vt-Gam/Vt-sat 在实际测试数值上满足(以NMOS为 ...

您好，您说的很有道理，只是您最先提到的“ Vt-gm<Vt-lin<Vt-sat”，后面又提到“Vt-sat<Vt-lin”，有些矛盾了，是不是后面的笔误？谢谢

nwpupind · 发表于 2022-7-12 13:55:54

mark.........

敏兹 · 发表于 2022-7-13 11:26:33

学习一下

Yury_Sun · 发表于 2022-9-23 14:00:23

chenximing 发表于 2020-9-26 11:23
那我们仿真print 出来的OP是哪个vth？

我也很想知道，大兄弟搞清了吗

linxi001 · 发表于 2022-10-12 09:56:32

guo625jingjing 发表于 2016-1-12 09:21
回复 4# gravediggaz

根据Vtgm的测试方法可以看出，Vtgm就是书上电流公式中的Vth

linxi001 · 发表于 2022-10-12 09:57:17

semi_bamboo 发表于 2022-6-24 13:34
您好，您说的很有道理，只是您最先提到的“ Vt-gm

是Vt-gm>Vt-lin>Vt-sat

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