免费样片试用心得，附源码！（ZT）

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最近申请了富士通半导体的SPI 铁电片子MB85RS64，很快邮寄到了，给厂商赞一个! 看资料，铁电存储器吸收了Flash和RAM二者的优点于一身，耐擦写次数可达到10的12次方，写数据耗时也比Flash和EEPROM要少，片子在3.3V下操作，运行和待机功耗也做得很棒。 这次的方案是用M058S的IO模拟SPI，完成读写，看了资料，主要就是注意6个 OP-CODE在操作时完成的功能。

在读状态寄存器之前，先赋值0xab，arraydata[]是读取buffer，writedata[]是写入 buffer，之前，测试时是这样，写入，由于使能了写使能1次，然后连续写，发现只在 0x00地址处写入了0xaa，细读手册，发现，每次写之后，片子都会复位写使能，所以每次写之前都要使能写使能，有点拗口，之后的测试向地址0x00~0x04，写入0xaa~0xee ，再读出，与写入的一样，读写成功。

片子操作不复杂，使用起来容易上手，性能不错，值得推荐!! 源码如下：

uint8_t SpiRead(void)

//主机在SCK下降沿，从MISO上读取1字节

{

        uint8_t i;

        for(i=0;i<8;i++)

        {

                DATA_BUF = DATA_BUF<<1;

                MB85RS64_SCK = 1;

                if(MB85RS64_MISO)

                {

                        DATA_BUF+=1;

                }

                else

                {

                        DATA_BUF+=0;

                }

                MB85RS64_SCK = 0;

        }

        return DATA_BUF;

}

void SpiWrite(uint8_t byte)

//主机向MOSI写1字节，设备在SCK上升沿读取

{

        uint8_t i;

        DATA_BUF = byte;

        MB85RS64_SCK = 0;

        for(i=0;i<8;i++)

        {

                if(DATA_BUF >> 7)

                {

                        MB85RS64_MOSI = 1;

                }

                else

                {

                        MB85RS64_MOSI = 0;

                }

                #if 1

                MB85RS64_SCK = 1;

                DATA_BUF = DATA_BUF << 1;

                MB85RS64_SCK = 0;

                #else

                MB85RS64_SCK = 0;

                MB85RS64_SCK = 1;

                DATA_BUF = DATA_BUF << 1;

                #endif

        }

}

void SetWriteEnableLatch(void)

//OP CODE: 0000 0110

{        

        MB85RS64_CS = 0;        

        SpiWrite(0x06);        

        MB85RS64_CS = 1;

}

voidResetWriteEnableLatch(void)

//OP CODE: 0000 0100

{

        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x04);

        MB85RS64_CS = 1;

}

uint8_tReadStatusRegister(void)

//OP CODE: 0000 0101

{

        uint8_t rsr_byte;

        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x05);

        rsr_byte = SpiRead();

        MB85RS64_CS = 1;

        return rsr_byte;

}

voidWriteStatusRegister(uint8_t wsr_byte)

//OP CODE: 0000 0001

{

        uint8_t rsr_byte;

        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x01);

        SpiWrite(wsr_byte);

        MB85RS64_CS = 1;

}

uint8_t ReadMemoryCode(uint16_taddr)

//OP CODE: 0000 0011

{

        uint8_t rmc_byte;

        uint8_t addr_high, addr_low;

        addr_high =(uint8_t)(addr&0xff00)>>8;

        addr_low  = (uint8_t)(addr&0x00ff);

        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x03);

        SpiWrite(addr_high);

        SpiWrite(addr_low);

        rmc_byte = SpiRead();

        MB85RS64_CS = 1;

        return rmc_byte;

}

void WriteMemoryCode(uint16_taddr, uint8_t wmc_byte)

//OP CODE: 0000 0010

{

        uint8_t addr_high, addr_low;

        addr_high =(uint8_t)(addr&0xff00)>>8;

        addr_low  = (uint8_t)(addr&0x00ff);

        MB85RS64_CS = 0;

        SpiWrite(0x02);

        SpiWrite(addr_high);

        SpiWrite(addr_low);

        SpiWrite(wmc_byte);

        MB85RS64_CS = 1;

}

void FRAM_Operate(void)

{

        uint8_t status = 0xab;

        uint8_t arraydata[5];

        uint8_t writedata[5];

        uint16_t i;

        memcpy(writedata,"\xaa\xbb\xcc\xdd\xee", 5);

        memcpy(arraydata,"\x01\x02\x03\x04\x05", 5);

        TRACE("-------  before Read ---------\r\n");

        TRACE("status = 0x%02x",status);

        printbuf("arraydata",arraydata, sizeof(arraydata));

        SetWriteEnableLatch();

        status = ReadStatusRegister();

        for(i=0;i<sizeof(arraydata);i++)

        {

                arraydata = ReadMemoryCode(i);

        }

        TRACE("-------  after Read ---------\r\n");

        TRACE("status = 0x%02x",status);

        printbuf("arraydata",arraydata, sizeof(arraydata));

        for(i=0;i<sizeof(writedata);i++)

        {

                SetWriteEnableLatch();

                WriteMemoryCode(i,writedata);

        }

        TRACE("\r\n-------  after Write writedata ---------");

        printbuf("writedata",writedata, sizeof(writedata));

        TRACE("-------  after Read again ---------");

        memset(arraydata, 0x00,sizeof(arraydata));

        for(i=0;i<sizeof(arraydata);i++)

        {

                arraydata =ReadMemoryCode(i);

        }

        printbuf("arraydata",arraydata, sizeof(arraydata));

}

既然是模拟SPI，涉及到的CS, MOSI,MISO, SCK可以自由设定了，注意MISO，设置成输入模式。（本文作者：springvirus）

keshy

感谢楼主分享，能给个申请样片的链接吗？

tang温蒂

富士通的FRAM？楼主是用在哪里？我们的工业电表全部是用的富士通FRAM，几乎市场上都是他们家在供应啊，工艺太独特了！

feicat

喜大普奔！！！有关注富士通半导体的微博吗？

秃噜娃

给富士通半导体点个赞（貌似申请没有量的限制，据说去年最多有人申请了100片，不知真假？！）

下泥巴人

100片样片？有这么大方吗？至少几大百大洋啊

bloge

呵呵，这玩意儿不能吃，没有这样设计需求的谁去免费申请啊？

gangxia

爽，免费送样片还有奖抽啊， 一等奖是价值2300元的佳能（Canon）数码相机一部，期待RP爆发啊！

静子猪

这玩意儿在医疗电子中应用也很多，排除一些低端市场，在要求高可靠性、高速/高耐久性数据读写、低功耗、抗辐射等高端医疗设备中，FRAM用的非常广泛。貌似8月份的医疗电子技术大会上富士通也会参展，到时候看看去。

hgjjhgj

推荐一个视频， “智能时代的存储解决方案—富士通FRAM”，是前不久富士通半导体在杭州智能三表 (电表、热表、水表)IC创新技术与设计研讨会上的演讲视频：http://www.big-bit.com/video/show-130.html 想了解FRAM的筒子可以看下。