nmosESD的保护环可以与nwell合并吗

tfjim · 发表于 2014-6-10 16:41:33

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NMOS ESD 器件的保护环是nwell，接最高电位，相邻的pmos管其nwell也接最高电位，试问：可以将保护环的nwell和pmos的nwell合并吗

zgf85644958 · 发表于 2014-6-11 14:55:34

回复 1# tfjim

最好不要，latchup测试时把该电位拉低的话会引起latchup的

IOT_chuanshuo · 发表于 2014-6-12 09:27:47

不要合并，一般pmos要远离nmos_ESD,容易latch up

miaoyue1999 · 发表于 2014-6-12 09:29:37

我严重怀疑latch up rule都不过

tfjim · 发表于 2014-6-13 19:37:09

谢谢各位了

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