在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3238|回复: 3

[求助] 关于新书:模拟CMOS电路设计折中和优化的某些问题

[复制链接]
发表于 2014-5-26 15:17:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
是学习gm/ID时候,接触这本书的。  书中关于gm/ID定义了一个新的概念--反型系数。发帖是想问下各位学习过这本书的前辈,怎么去看这本书? 这本书对设计电路有没有具体的帮助?
  发现里面涉及到的概念很多,看得有点烦躁。
  谢谢
头像被屏蔽
发表于 2014-5-29 09:59:14 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2017-9-25 14:35:39 | 显示全部楼层
反型系数其实和Vod是同样的原理,都是用来表征晶体管工作状态的一个参数。有些书上面不提反型系数,只计算Vod的大小,目的在于更好的进行公式的计算,来设计管子的WL。你提的这本书更注重于原理,希望你能够取其精髓
发表于 2022-12-6 09:33:51 | 显示全部楼层
反型系数  


https://bbs.eetop.cn/thread-620806-1-1.html

https://bbs.eetop.cn/thread-363359-1-1.html
当IC大于10,一般认为是强反型,小于0.1为弱反型,一般让放大器的输入管工作在弱反型,可以增大增益。具体可以找几篇相关论文。

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 09:28 , Processed in 0.019041 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表