量产芯片32K晶振高湿下有30%不能启振，求助

RichCA01 · 发表于 2014-5-18 03:19:55

很有道理，不过线路板上的对地电容也可能高湿环境下漏电加大，电容量减小。

semico_ljj · 发表于 2014-5-18 10:44:46

seeing

Vdsat · 发表于 2014-5-19 14:57:22

回复 10# ovation

高手，感觉您的推断最有可能发生，能否告之解决方案，如果XIN及XOUT对地的阻抗降低到10M级或更低导致不能起振，如何解决？

ovation · 发表于 2014-5-21 12:18:23

回复 13# Vdsat

这个在芯片内部没有解决方案，只能外部规范客户的PCB Layout

crown911 · 发表于 2014-5-22 15:25:27

回复 10# ovation

如果是偏置不对，都有可能是哪些因素造成的？你说输入到电源的漏电是怎么产生的？

lindychen · 发表于 2014-5-22 22:24:42

10uF的电容？哪有用这么大电容的。10M的反馈电阻应当也是足够了的。我曾经也用mos电阻做过，本身就做的10M不到的电阻，一点问题都没有。

could5 · 发表于 2014-5-23 03:43:52

本帖最后由 could5 于 2014-5-23 03:47 编辑

回复 16# lindychen

同疑惑10uF电容，一般使32.768K晶振准确震荡的负载电容为6pF或12.5pF，因此XIN和XOUT的电容是pF级别的，这个不同的厂商的spec上应该有讲明

Vdsat · 发表于 2014-5-24 14:33:47

10pf，笔误

king0798 · 发表于 2016-8-3 13:54:35

回复 18# Vdsat

前辈，请问下最后怎么解决湿度问题的？

i0977454522 · 发表于 2018-11-26 11:42:08

thnak

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