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用的工艺是SMIC40nm工艺,12bit 125M,SH电路opamp采用folded+gainboost+two stage,gainboost采用四个单端运放,前仿真SFDR104DB,opamp带宽800MHz,DC GAIN=102DB,PM=65°,管子size基本原则是finger最多为4,size很大的管子m比较大,每4个接衬底电位,可是后仿结果 (calibre提R+C+CC)SFDR只有60多DB,保持波形出现明显震荡,看起来像是PM不够,又提高了前仿PM到72°,但是SFDR依然很差,想请教各位,有可能是哪些原因啊,需要注意些什么地方,谢谢了! |
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