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[求助] 本人初学ADS,设计AtF54143的偏置的时候总是出错,请教大神

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发表于 2014-3-15 20:13:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我是按照ADS2008射频电路设计与仿真实例 一书中做的,就是下面这个问题,跪谢各位了

QQ截图20140315201531.png QQ截图20140315201543.png QQ截图20140315201639.png
发表于 2014-3-16 19:52:47 | 显示全部楼层
支持下 看下!哈哈
发表于 2014-3-18 09:18:49 | 显示全部楼层
那是因為ATF54143是enhanced mode P-HEMT, 而Bias utility是使用N(P) type FET公式計算偏壓電路, 所以會算錯
 楼主| 发表于 2014-3-18 16:16:17 | 显示全部楼层
回复 3# telinsun


   大神啊,真厉害啊
 楼主| 发表于 2014-3-18 16:29:14 | 显示全部楼层
回复 3# telinsun


大神,那要设计HEMT的偏置,应该用什么呢?
发表于 2014-3-19 17:59:32 | 显示全部楼层
你還是可以用Bias utility來幫你算, 先按Bias point selection, ADS會生成一個DC I-V curve 電路, 然後根據
datasheet調整VGS, VDS掃瞄範圍, 然後跑DC模擬後就會有I-V curve, 找到你要的VGS, 回到Bias utility關掉automatic Extract Device Parameter, 勾選Device bias point, 填入VGS值再讓它跑就行了

或者更快一點, 直接看datasheet, 找到你要的VGS, 填入後直接執行就好了
发表于 2014-12-12 19:52:43 | 显示全部楼层
回复 6# telinsun


   你好,我也遇到此类问题,能不能告诉我联系方式,指导一下我,会有酬谢的!
发表于 2014-12-17 15:17:46 | 显示全部楼层



談不上指導, 只是分享一些使用上的經驗, 如果有問題你可以用短消息或是寄到我e-mail信箱 normansun@gmail.com
发表于 2015-4-27 11:42:39 | 显示全部楼层
也遇到该问题
发表于 2015-5-27 17:45:01 | 显示全部楼层
也遇到这个问题,有解决的大神没。
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